用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质

【摘要】：采用低温光伏谱方法，研究了应变Ｉｎ０１８Ｇａ０８２／ＧａＡｓ单量子阱结构中各子能级之间的光跃迁，并与理论计算的结果进行比较，对光伏谱的谱峰跃迁能量随温度变化的分析，表明量子阱中的应变与温度基本无关．研究了光伏谱的谱峰半高宽度随温度的变化关系．讨论了声子关联、混晶组分起伏及生长界面不平整对光伏谱谱峰宽度的影响 【作者单位】： 厦门大学物理系
【关键词】： 应变量子阱 光伏谱 InGaAs/GaAs 单量子阱 方法研究 半高宽度 跃迁能量 温度变化 超晶格材料 谱峰能量
【基金】：国家自然科学基金,福建省自然科学基金
【分类号】：O471
【正文快照】： 用光伏谱方法研究ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱的性质吴正云王小军余辛黄启圣（厦门大学物理系，厦门３６１００５）采用低温光伏谱方法，研究了应变Ｉｎ０１８Ｇａ０８２／ＧａＡｓ单量子阱结构中各子能级之间的光跃迁，并与理论计算的结果进行比较，对光伏谱的

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