（GaAs／AlAs）_n短周期超晶格类型及其转变的光伏研究

【摘要】：首次用光伏方法研究了（ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ）ｎ短周期超晶格中的超晶格类型及其转变问题．不同于其它方法，光伏方法仅涉及到载流子在实空间中的分离及其大小．这种空间分离在Ⅰ类超晶格中为零，而在Ⅱ类超晶格中不为零．（ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ）ｎ短周期超晶格在ｎ＝１０和１１时被指认为Ⅱ类超晶格，在ｎ＝１５时被指认为Ⅰ类超晶格．与其它大部分实验结果一致． 【作者单位】： 北京半导体超晶格国家重点实验室 中国科学院半导体研究所
【关键词】： 超晶格 GaAs／AlAs 晶格类型 表面光伏响应 短周期 光伏方法 空间分离 光致发光谱 吸收特征 表面区域
【分类号】：TN306
【正文快照】： （ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ）_ｎ短周期超晶格类型及其转变的光伏研究罗昌平，江德生，李锋，庄蔚华（北京半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院半导体研究所北京１０００８３）摘要首次用光伏方法研究了（ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ）ｎ短周期超晶格中的超晶格类型及其转变问题．不同

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