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硼离子掺杂类金刚石薄膜及 C(B)/n-Si 异质结光伏特性

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 03:48:38
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硼离子掺杂类金刚石薄膜及 C(B)/n-Si 异质结光伏特性【摘要】:采用直流弧光放电等离子PCVD法,沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜,该材料p型半导体,电阻率5—10Ωcm。俄歇

【摘要】:采用直流弧光放电等离子PCVD法,沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜,该材料p型半导体,电阻率5—10Ωcm。俄歇(Auger)电子能谱测试表明,硼离子含量为0.8%,由扫描电镜(SEM)和激光喇曼(Raman)谱分析可知,薄膜以非晶为主,观察到许多线径为0.5—1.0μm的金刚石结晶微粒。制备成Au/C(B)/n-Si异质结,其开路电压Voc=580mV,短路电流密度为650μAcm-2,获得暗I-V整流特性和光照I-V工作曲线。 【作者单位】: 安徽师范大学物理系 西安交通大学
【关键词】硼掺杂类金刚石薄膜 直流弧光PCVD Au/C(B)/Si异质结
【分类号】:TB43
【正文快照】: 硼离子掺杂类金刚石薄膜及C(B)/n-Si异质结光伏特性*周之斌杜先智张亚增杨峰(安徽师范大学物理系,芜湖241000)崔容强(西安交通大学,西安710049)文摘:采用直流弧光放电等离子PCVD法,沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜,该材料p型半导体,电阻率

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