硼离子掺杂类金刚石薄膜及 C(B)/n-Si 异质结光伏特性
硼离子掺杂类金刚石薄膜及 C(B)/n-Si 异质结光伏特性【摘要】:采用直流弧光放电等离子PCVD法,沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜,该材料p型半导体,电阻率5—10Ωcm。俄歇
【关键词】: 硼掺杂类金刚石薄膜 直流弧光PCVD Au/C(B)/Si异质结
【分类号】:TB43
【正文快照】: 硼离子掺杂类金刚石薄膜及C(B)/n-Si异质结光伏特性*周之斌杜先智张亚增杨峰(安徽师范大学物理系,芜湖241000)崔容强(西安交通大学,西安710049)文摘:采用直流弧光放电等离子PCVD法,沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜,该材料p型半导体,电阻率
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