HgCdTe光伏器件反常I－V特性分析

【摘要】：对ＨｇＣｄＴｅ光伏器件研制中出现的光电二极管伏安特性反常现象提出了寄生ｐ－ｎ结模型，并以此模型为基点，结合工艺实验对此现象进行了解释和分析。 【作者单位】： 昆明物理研究所
【关键词】： 光伏器件 I－V特性 寄生p－n结
【分类号】：TN214
【正文快照】： ＨｇＣｄＴｅ光伏器件反常Ｉ－Ｖ特性分析曾戈虹，孙娟，严隆（昆明物理研究所，昆明，６５０２２３）［摘要］对ＨｇＣｄＴｅ光伏器件研制中出现的光电二极管伏安特性反常现象提出了寄生ｐ－ｎ结模型，并以此模型为基点，结合工艺实验对此现象进行了解释和分析。［关键词］

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