InGaAs/GaAs应变量子阱的低温光伏谱

【摘要】：用光伏谱方法研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱结构中各子能级间的光跃迁，并与理论计算的结果进行了比较．分析了光伏谱峰能量随阱宽与温度的变化，并讨论了光伏谱峰强度的温度关系． 【作者单位】： 厦门大学物理系
【关键词】： 光伏谱 应变量子阱 InGaAs／GaAs
【基金】：国家自然科学资金,福建省自然科学基金
【分类号】：TN213
【正文快照】： ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱的低温光伏谱＊吴正云王小军余辛黄启圣（厦门大学物理系，福建，厦门，３６１００５）摘要用光伏谱方法研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱结构中各子能级间的光跃迁，并与理论计算的结果进行了比较．分析了光伏谱峰能量随阱宽与温度

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