SnO_2/PS/Si吸附气体前后的光伏谱变化

【摘要】：制备了二氧化锡／ 多孔硅／ 硅（ＳｎＯ２／ＰＳ／Ｓｉ） 异质结构样品，在不同温度下，分别测量样品吸附氢气、液化石油气前后的光生电压谱。结合Ｘ 光电子能谱（ＸＰＳ） 测量结果，分析了光生电压谱变化的机理 【作者单位】： 厦门大学物理系!厦门361005 厦门大学物理系!厦门361005 厦门大学物理系!厦门361005 厦门大学物理系!厦门361005 厦门大学物理系!厦门361005
【关键词】： 半导体材料 双异质结 多孔硅 吸附气体 光生电压谱 X光电子能谱
【基金】：福建省自然科学基金
【分类号】：O471.4
【正文快照】： １　引言多孔硅（ＰＳ）是近年来发展起来的一种新型半导体材料，它的光致发光、电致发光引起人们极大的研究兴趣［１，２］，它的气敏特性及与硅形成的异质结的光伏特性也颇受重视［３～５］。ＳｎＯ２是最常用的气敏材料，它与ＰＳ／Ｓｉ结合形成ＳｎＯ２／ＰＳ／Ｓｉ双异

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