光伏新材料a-CN_x薄膜的光电响应性质

【摘要】：采用离子束溅射反应沉积技术 ,以高纯 N2 为工作气体 ,利用在不同气压下产生的离子束轰击石墨靶 ,在石英基片上溅射出的碳原子与氮离子反应 ,沉积出 a- CNx 薄膜 .在室温下 ,研究薄膜的暗电导和在卤素光源照射下的光电导、光响应增益、响应时间等性质 ,以及制备工艺和掺杂、氢化对这些性质的影响及关系 .实验结果表明 :未掺杂的 a- CNx 薄膜的光响应增益达 1 8,磷掺杂薄膜的光响应增益为 3.0 ,经过氢化处理的未掺杂 a- CNx 薄膜的光响应增益为 30 ,光响应时间大约为 30 0 s. 【作者单位】： 上海交通大学物理系太阳能研究所 上海交通大学物理系太阳能研究所 上海交通大学物理系太阳能研究所 上海交通大学物理系太阳能研究所
【关键词】： 氮化碳薄膜 磷掺杂a-CNx 离子束溅射 光电响应
【分类号】：TN202
【正文快照】： 1　引言2 0世纪 90年代初 ,Liu和 Cohen[1 ,2 ] 首先以 β-Si3 N4结构为模型用理论计算的形式预言了存在一种与β- Si3 N4结构类似的化合物β- C3 N4,其体模量可与金刚石相比甚至可能大于金刚石的体模量 ;其他理论物理学家采用不同方法计算也得出相似结论 [3 ] .β- C3 N4不

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