短波碲镉汞光伏器件的低频噪声研究

【摘要】：对所研制的短波光伏碲镉汞器件进行了变温电流 电压特性和低频噪声研究 ,测试温度范围 2 5 5— 2 93K .实验结果表明随着温度的下降 ,器件的优值因子R0 A从 4 5× 10 3Ωcm2 增加到 7× 10 4 Ωcm2 .器件在低频区的主要噪声成分是 1 f噪声和产生 复合噪声 ,在高频区主要是散粒噪声 .在测试的偏压内 ,器件的 1 f噪声功率谱密度与流过器件的电流的平方成正比 ,器件的Hooge系数为 3× 10 - 4— 7× 10 - 4.从噪声功率谱密度曲线分析中得到产生 复合噪声的特征时间常数τ ,通过τ的温度特性得到了器件的深能级 . 【作者单位】： 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
【关键词】： 碲镉汞 优值因子 低频噪声 深能级
【分类号】：TN364
【正文快照】： 1 引言碲镉汞三元系化合物半导体是一种优良的红外探测器材料 ,具有介电常数小、光学吸收系数大、载流子迁移率高等特点 ,特别是由于其禁带宽度随组分的变化连续可调 ,因此可用来制备各种响应波段的红外探测器[1] .目前在卫星、遥感、夜视及红外制导等领域 ,由碲镉汞制备的红

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