短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制
短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制【摘要】:采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/In
【关键词】: 光伏探测器 短波红外 InGaAs 气态源分子束外延
【基金】:国家“973”项目基金(G20000683) 国家“863”项目基金(2002AA313040)
【分类号】:TN215
【正文快照】: 引言短波红外(1~3μm)波段的光电探测器及其阵列在红外遥感[1]、夜视、温度测量及气体测量等方面都有重要应用.在此波段上除碲镉汞[2]和锑化物外,三元系的InGaAs也是性能优良的的制作光电探测器的材料.对于InGaAs,由于其具有很好的材料稳定性及良好的抗辐照性能,并且有更成熟
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