热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响

【摘要】：本文论述了HgCdTe光伏探测器的I-V特性和暗电流机制,讨论了离子注入后退火、钝化后烘烤、倒焊互联后退火等热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响。 【作者单位】： 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院上海技术物理研究所
【关键词】： HgCdTe光伏探测器 退火 烘烤
【分类号】：TN36
【正文快照】： IHgcdTe光伏探测器的I-v特性和 暗电流机制 p一n结的卜v特性(见图l)决定了光电探测 器的动态阻抗和热噪声. HgCdTe光伏器件的暗电流机制主要包括扩 散电流、产生一复合电流、间接隧道电流和直接 隧道电流. 在许多实际应用中，光电二极管工作在零 偏压附近.零偏压时的动态阻抗

您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声特性分析    盛怀茂,王嘉宽,高启安,夏冠群,赵建龙

光电耦合器的结构设计及封装特点    田浦延,布良基,陈蒲生,冯文修

红外焦平面阵列技术现状和发展趋势    张华斌,张庆中

数码照相机的CCD光电传感器    赵春三

条形码识别技术    熊建文，何宝鹏，陈丽

光电耦合器的封装及其发展    龙乐

非制冷焦平面红外探测器的双波段成像理论    金伟其,刘广荣,高稚允

高灵敏度荧光显微镜及其在细胞光敏效应研究中的应用    陈天明，王苏生，俞信，孙江政，曹恩华，许娜飞，李景福

增强型荧光显微镜的量化处理及测试    孙江政，王苏生，俞信，陈天明，曹恩华，许娜飞，李景福

紫外线光源的光强测定方法    顾平,颜育平

256×1 Element Linear InGaAs Short Wavelength near-Infrared Detector Arrays    Li Xue a,Tang Hengjing a,Fan Guangyu a,Liu Dafu a,Shao Xiumei a,Zhang Yonggang b,Zhang Haiyan a,Chen Xinyu a,Zhu Sangen a,Gong Haimei a,Fang Jiaxiong a a State Key Laboratories of Transducer Technology,Shanghai Institute of technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China b State Key Laboratories of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China

红外焦平面阵列CMOS读出电路研究    刘成康

UMBIRFPA的计算机仿真及非均匀性校正研究    汪涛

基于DSP的红外焦平面阵列非均匀性校正技术研究    张晓飞

GaInAsSb红外探测器的器件与物理研究    李志怀

半导体远红外/THz上转换成像器件研究    武乐可

科学级CCD数码相机的研究与开发    马俊婷

扫描式摄影点阵控制技术研究    翟百臣

HgCdTe光伏器件表面钝化以及MIS器件制备与分析    张朝阳

光通信APT中CCD多次采样的分析及驱动电路的设计    张文涛

激光扫平仪高精度数字化检测与校正系统    夏霞

射击精度测量方案的探索    杜惠杰

嵌入式DSP多接口处理系统的设计    孙建松

基于光声光谱法的SO_2气体浓度光纤传感器研究    田庆国

镧锶钴氧薄膜的脉冲激光沉积法制备及电性能测试    李丽萍

微测辐射热计非均匀性测试及校正技术研究    唐绩

不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制    孙涛,陈文桥,梁晋穗,陈兴国,胡晓宁,李言谨

离子束诱导转型成结的碲镉汞光伏器件    贾嘉

8—14微米碲镉汞光伏探测器V—1特性的测量分析和讨论    曾光丽 ,陈淑英 ,何丹

垂直p-n结的碲镉汞光伏探测器暗电流特性分析    史衍丽;

CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究    李茂顺;余学峰;郭旗;李豫东;高博;崔江维;兰博;陈睿;费武雄;赵云;

离子注入退火晶格恢复和电激活动力学研究    张通和;吴瑜光;罗晏;

JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性    陆妩,任迪远,郭旗,余学峰,艾尔肯

SiGe材料的组分表征研究与退火分析    冯世娟;李秋俊;田岗纪之;财满镇名;

用正电子湮灭技术研究位错浓度随退火时间的变化    熊良钺,姜键,曹玔,王蕴玉,熊兴民

MOSFET的热载流子损伤及其退火    余学峰;艾尔肯;任迪远;张国强;陆妩;郭旗;

铝诱导晶化非晶硅薄膜研究    刘伟;高斐;方晓玲;王建军;张佳雯;晏春愉;

热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响    孙柏蔚;胡晓宁;

CdSSe半导体纳米晶体的实验研究    黄平,颜其礼

CMOS器件总剂量辐射响应理论模拟    何宝平;周荷琴;郭红霞;贺朝会;周辉;罗尹虹;张凤祁;

CdTe+ZnS双层钝化的HgCdTe光伏探测器的制备及性能研究    孙涛;陈文桥;梁晋穗;陈兴国;胡晓宁;李言谨;

MOSFET的热载子损伤及其退火恢复    余学峰;艾尔肯;任迪远;张国强;陆妩;郭旗;范隆;严荣良;

NPN双极晶体管的ELDRS效应及退火行为    陆妩;任迪远;郑玉展;王义元;郭旗;余学峰;何承发;

蓝光LED芯片透明导电薄膜ITO退火工艺的研究    沈燕;彭璐;杨鑫沼;刘存志;

JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性    陆妩;任迪远;郭旗;余学峰;艾尔肯;

SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究    高博;余学峰;任迪远;王义元;李鹏伟;于跃;李茂顺;崔江维;

真空退火对氧化钒薄膜的相成分和电学性能的影响    王银玲;李美成;彭化;赵连城;

利用电子束蒸发法制备硅薄膜的研究    李明华;李军勇;陈达明;林杨欢;胡芸菲;沈辉;

掺HCl MOSFET辐照后退火特性的研究    张国强;严荣良;余学锋;高剑侠;任迪远;范隆;赵元富;胡浴红;

不同剂量率下MOSFET的辐照响应和退火行为    陆妩;任迪远;郭旗;余学峰;

中温制备多晶硅薄膜及相关理论问题的探讨    靳瑞敏

纳米硅在SIMOX材料抗辐照加固中的应用研究    钱聪

高品质低温多晶硅薄膜晶体管的制作与周边一体化设计    黄金英

FePt薄膜的L1_0有序化转变动力学及其控制    李晓红

碳化硅薄膜的外延生长、结构表征及石墨烯的制备    刘忠良

AlGaN/GaN异质结场效应晶体管特性研究    赵建芝

Cs-K离子交换结合离子注入技术制备磷酸钛氧钾晶体光波导的研究    张瑞锋

太阳能电池多晶硅薄膜铝诱导晶化（AIC）机制及工艺控制研究    王成龙

Si离子注入后B在退火过程中析出模型的研究    励晔

环境半导体材料Ca_2Si的制备及其光电特性研究    肖清泉

Ga_2O_3薄膜的制备及特性研究    杨光

ZnO薄膜p型掺杂及其相关问题研究    王楠

氮化镓纳米颗粒的制备及性质研究    张全德

非晶硅薄膜光学性质的研究及铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜    方晓玲

紫外光辅助低温硅片直接键合研究    马沧海

纳米多晶Si薄膜的热壁LPCVD淀积与结构特性研究    马蕾

磁控溅射法制备WO_3基薄膜及相关物理性能的研究    李德柱

铝诱导晶化制备多晶硅薄膜的研究    刘伟