n-on-p长波HgCdTe光伏器件的一种光谱现象解释

【摘要】：在对n-on-p长波HgCdTe光伏器件光谱测试中,发现对于前照式型器件,光谱在中短波区有时会出现一个小峰。通过叠加原理的方式理论计算分析认为这是由于n区的B-M效应和量子效率导致的。 【作者单位】： 昆明物理研究所;
【关键词】： 碲镉汞 B-M效应 量子效率 相对响应光谱 理论计算
【分类号】：TN215
【正文快照】： 引言目前长波高性能n-on-p HgCdTe光伏型探测器的成结方式主要使用离子注入成结[1]。通过离子注入使p型衬底表层转型为n型,形成p-n结。形成的n型区的载流子浓度较高,从而导致了n型区发生简并,产生了B-M移动。在对n-on-p长波HgCdTe光伏器件光谱测试中,发现对于前照式型器件,光

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