Si基HgCdTe变面积光伏探测器的变温特性研究

【摘要】：通过变面积Si基HgCdTe器件变温I-V测试和暗电流特性拟合分析,研究了不同偏压下n-on-p型Si基HgCdTe光伏器件的暗电流成分与Si基HgCdTe材料少子扩散长度和少子寿命随温度的变化规律.在液氮温度下,随着反向偏压的增大器件的表面漏电流在暗电流中所占比重逐渐增加.在零偏压下,当温度低于200 K时材料的少子扩散长度随温度的升高而变大,而高于200 K时材料的少子扩散长度随温度的降低逐渐减小.将汞空位掺杂的p型Si基HgCdTe材料少子寿命的变温曲线与常规衬底材料的少子寿命变温曲线进行比较,发现Si基HgCdTe材料少子寿命接近常规衬底外延薄膜材料水平. 【作者单位】： 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;
【关键词】： Si基HgCdTe 少子寿命 少子扩散长度 变温特性
【基金】：中国科学院知识创新工程前沿前瞻性项目(批准号:C2-53)
【分类号】：TN215
【正文快照】： 引言Si基HgCdTe红外焦平面探测器是典型的第代红外焦平面探测器,它具有大面阵、低成本、与读出电路热匹配等优点[1-2],对推动红外探测器在军用和民用方面的广泛应用具有重要的意义[3].国外对Si基HgCdTe红外焦平面探测器的研究开始于上世纪80年代,目前已具备6英寸Si衬底HgCdTe

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