掺杂改善CuInSe_2薄膜光伏特性的研究进展

【摘要】：CuInSe2薄膜太阳能电池是当前可再生能源领域的研究热点之一。掺杂在一定程度上起到提高薄膜电池光电性能及降低薄膜电池成本的作用。从元素掺杂角度出发,对元素掺杂的种类、方式,掺杂元素在薄膜电池光电性能和相互作用机制上的影响进行了重点综述,最后提出了当前CuInSe2薄膜电池存在的主要问题和发展方向。 【作者单位】： 山东建筑大学材料科学与工程学院;
【关键词】： 铜铟硒 太阳电池 薄膜 掺杂
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 0引言CuInSe2(CIS)是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体直接禁带材料。掺入镓形成Cu(In,Ga)Se2,带隙较CIS增宽,与太阳光谱(1.4~1.6eV)更匹配。该薄膜电池具有6×105cm-1数量级的吸收系数、高的转换效率、强抗辐照能力、弱光特性好等优点[1]。典型结构为A l/MgF2/ZnO/CdS/CIGS/Mo/衬底[2

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