双靶共溅射Cu-Sb合金预制层后硫化法制备CuSbS_2光伏薄膜及其性能

【摘要】：采用双靶共溅射Cu-Sb合金预制层后硫化法制备铜锑硫(Cu Sb S2)薄膜,研究溅射功率对合金成分的影响,并采用X线能量色散谱(EDS)、扫描电镜(SEM)、X线衍射(XRD)和紫外-可见-近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)等对硫化后薄膜进行表征,同时制备Cu Sb S2太阳能电池器件并对其输出特性进行表征和分析。研究结果表明:三元Cu Sb S2相由预制层中金属被硫化生成的二元硫化物Cu S和Sb2S3相互反应形成。在400℃下硫化退火可制得结晶良好、表面致密的Cu Sb S2薄膜,其带隙宽度为1.46 e V,并在可见光区具有大于5×104 cm-1的光吸收系数。制作的glass/Mo/Cu Sb S2/Cd S/i-Zn O/Al-doped Zn O/Ag薄膜太阳能电池器件在太阳总辐照度为100 m W/cm2下测试,获得的开路电压和短路电流密度分别达150 m V和1.29 m A/cm2。 【作者单位】： 中南大学冶金与环境学院;新南威尔士大学光伏与可再生能源工程学院;
【关键词】： CuSbS薄膜 磁控溅射 Cu-Sb合金 硫化温度 光学性质
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51272292,51222403) 中南大学基础研究基金资助项目(2013zzts027,2014zzts031)~~
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： (1.School of metallurgy and Environment,Central South University,Changsha 410083,China;2.School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering,University of New South Wales,Sydney 2052,Australia)电响应特性[9-10]。此外,Cu Sb S2不含稀有分散和有毒元素,因

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