AZO-SiO_2-Si材料中二维侧向光伏效应的研究
AZO-SiO_2-Si材料中二维侧向光伏效应的研究【摘要】:采用旋转涂覆法在被氧化的硅基底片上形成掺铝氧化锌(AZO)薄膜,再经过真空烘干后制成AZO-Si O2-Si金属氧化物
【关键词】: AZO-SiO-Si材料 高精度传感器 金属氧化物-氧化物-半导体结构 二维侧向光伏效应
【基金】:国家自然科学基金项目(11247311) 2011年上海高校青年教师培养资助计划项目(shgcs029)资助
【分类号】:TB383.2
【正文快照】: 1930年肖特基(Schottky)最先发现侧向光伏效应(lateral photovoltaic,LPV),然后由Wallmark于1957年在Ge的P-N结上进行了拓展研究,从而开启了侧向光伏效应研究的先河。从定义的角度讲,侧向光伏是指当点光源照射P-N结、半导体异质结或者金属半导体结时,利用结的同一表面上引出的
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