GaN基半导体光伏电池的制备和特性研究

【摘要】：制备了3种低In组分(即原子分数)的InGaN p-i-n同质结太阳能电池,均显示良好的光伏响应特性,并对电池开路电压随In组分增大而急剧下降的内在机理作了深入分析.而后,改进外延结构采用相同工艺制作InGaN p-i-n异质结太阳能电池,并与同质结太阳能电池进行了对比分析,提出异质结是InGaN电池结构的较好选择.为了扩展太阳光的吸收范围,制作了InGaN多量子阱结构电池,指出合理设计器件结构是今后研究的关键,为进一步的研究发展提供了思路. 【作者单位】： 集美大学理学院;厦门大学信息科学与技术学院;厦门大学萨本栋微米纳米技术研究院;
【关键词】： InGaN 太阳能电池 结构
【基金】：国家自然科学基金(61404059,61274052) 集美大学科研启动基金(ZQ2013011)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： (5):665-673.Citation:Cai Xiaomei,Zhang Jiangyong,LüXueqin,et al.Fabrication and characteristics of GaN-based solar cells[J].Journal ofXiamen University:Natural Science,2015,54(5):665-673.(in Chinese)单晶Si太阳能电池已得到广泛的应用,其工业转换效率约为20%

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