CIGS薄膜太阳能电池缓冲层CdS薄膜的制备研究

【摘要】：目前CdS材料的制备方法有很多种,但是最常用的是化学水浴法。本文研究了浓度、反应溶液pH值、温度、沉积时间对CdS缓冲层薄膜的影响,对CIGS薄膜太阳能电池缓冲层CdS薄膜的制备方法进行了论述。 【作者单位】： 广西地凯光伏能源有限公司;
【关键词】： CIGS 太阳能电池 CdS 综述
【分类号】：TB383.2;TM914.42
【正文快照】： 1 Cd S薄膜的影响因素Cd S材料作为一种直接带隙的n型半导体,可以较好提高CIGS太阳能电池的性能,是目前CIGS太阳能电池使用率最高的材料。经研究分析,发现对该材料的制备产生影响的因素主要如下:1.1浓度对Cd S薄膜的影响。敖建平和孙云发表的《CIGS电池缓冲层Cd S的制备工艺及

您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容

CIGS薄膜太阳电池制备技术研究    吴兆;张弘旭;洪瑞江;

溅射气压对PI衬底CIGS薄膜太阳电池Mo背电极的影响    李志国;刘玮;何静婧;周志强;孙云;

汉能CIGS薄膜太阳能技术落户曹妃甸    记者 瞿剑

CIGS薄膜太陌能电池组和整厂设备输出项目落户迁西    郭力榕

CIGS薄膜太阳电池窗口层的制备和特性研究    尹振超

CIGS薄膜和CdS薄膜的制备和光学带隙    韩磊