用于HIT太阳能电池的本征非晶硅薄膜

【摘要】：带本征薄层的异质结(HIT)太阳能电池要求本征非晶硅薄膜具有生长速率低,暗电导大,光学带隙宽的特点．采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备符合 HIT 太阳能电池要求的本征非晶硅薄膜,并通过分析薄膜的透射光谱,采用 Tauc 法计算了薄膜的光学带隙, 为约1．87eV．,衬底温度为180℃,放电功率为80W 时获得的薄膜性能最佳． 【作者单位】：华中科技大学电子科学与技术系 华中科技大学电子科学与技术系 华中科技大学电子科学与技术系 华中科技大学电子科学与技术系
【关键词】：本征非晶硅薄膜 HIT PECVD
【基金】：国家“863”计划项目(2006AA05Z406)
【分类号】：TM914.4;TB383.2
【正文快照】： 1引言 非晶硅薄膜由于能用等离子增强化学气相沉积 田以兵心)进行制备，所以能实现低温、大面积地沉积，目 前已被广泛应用于薄膜太阳能电池中.近年来，带本征薄 层的异质结(印助太阳能电池的出现111使得本征非晶硅薄 膜再次成为人们关注的热点。因为加入本征薄层的异质结 太

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