真空技术在铜基化合物薄膜太阳能电池生产工艺中的运用

【摘要】：在薄膜太阳能电池中,直接带隙的铜三六族(Cu-Ⅲ-V12)化合物半导体如CuInS2、CuInSe2以及Cu2InGaSe4,具有优异的光电特性,成为比硅基材料更加优越的低成本高转换效率薄膜太阳电池吸收层材料。生产工艺成熟后,CIGS电池的制造成本和能量回报时间都远低于晶体硅电池。世界上光伏技术的著名研发机构,如美国的国家再生能源实验室(NREL)和Dellware大学、德国的HMI和Stugartt大学等,都对Cu-Ⅲ-VI2基高转换效率薄膜太阳电池有系统的研究,2010年德国ZSW的CIGS电池转换效率为20.3%,已接近多晶硅太阳电池的水平。用Zn和Sn替代CuInS2中的In得到的四元半导体铜锌锡硫Cu2ZnSnS4(简称CZTS),也具有适合作为薄膜太阳电池吸收层的特性,引起了广泛关注。铜基化合物薄膜太阳能电池的生产工艺路线,大体可以分为真空工艺和非真空工艺。真空工艺是主流,在铜基化合物薄膜太阳能电池生产工艺中真空技术得到了广泛的运用,主要涉及到磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发、多源共蒸发、硒化硫化等。本报告结合铜基化合物薄膜太阳能电池制程中对各个工艺的技术要求介绍各种真空工艺在铜基化合物薄膜太阳能电池的生产中的运用和发展趋势。为计划涉足铜基化合物薄膜太阳能电池领域真空设备生产厂商提供参考。 【作者单位】：湛江师范学院物理科学与技术学院
【分类号】：TM914.42;TB79
【正文快照】： 真空技术在铜基化合物薄膜太阳能电池生产工艺中的运用@张军$湛江师范学院物理科学与技术学院!湛江 524048 @邵乐喜$湛江师范学院物理科学与技术学院!湛江 524048在薄膜太阳能电池中,直接带隙的铜三六族(Cu-Ⅲ-V12)化合物半导体如CuInS2、CuInSe2以及Cu2InGaSe4,具有优异的

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