面向太阳能电池的含In氮化物外延生长及其物性研究

【摘要】：自实验证明氮化铟(InN)室温下的禁带宽度约为0.63 eV以来,InN及其全组分可调InGaN的研究成为国际上氮化物研究的一个重要方向。InN窄禁带的实验确认,使得Ⅲ族氮化物及其合金(InN-GaN-AlN)的发光区域涵盖了紫外到红外的一个相当宽的范围,大大拓宽了氮化物光电器件的应用范围,比如,InGaN的带宽完全覆盖了太阳光谱的范围,因而可以利用氮化物单体系材料来制作高效率的太阳能电池;但是,当前关于氮化物太阳能电池的研究相对来说还在起步阶段,具体而言是受限于InN和InGaN的材料质量问题。所以国际上的研究重点主要集中在InN和InGaN的高质量外延生长和掺杂具有重要的研究意义。 【作者单位】：北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心人工微结构和介观物理国家重点实验室
【分类号】：O614.372
【正文快照】： 总体上，InN的研究比起GaN而言还很不深入，主要是由于高质量的InN的外延生长是一个难题，其主要原因有二:一是晶格失配很大，通常使用的蓝宝石衬底和InN的外延失配为25%，即使使用G aN衬底或者缓冲层，其与InN的失配也高达10%，因此InN外延层中的位错密度很高.二是低生长温

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