SiO_2/SiN_x叠层钝化晶体硅太阳能电池的研究

【摘要】：为了减少硅片表面的悬挂键、降低表面复合速度,本文研究了在晶体硅衬底上低温热生长SiO_2薄层的钝化效果,并且研究了SiO_2/SiN_x叠层对晶体硅表面的钝化作用。通过改变SiO_2与SiN_x薄层的厚度以及工艺条件,增强了对硅片的钝化以及光陷作用。最后通过合适的工艺条件,做出了适合工业化大规模生产的叠层钝化电池,电池分析表明,电池的短波响应明显提高,短路电流有近4%,同时开压也有约1%的提高,有效的提高了晶体硅太阳能电池的转换效率近3%。 【作者单位】：林洋新能源有限公司 上海交通大学太阳能研究所
【关键词】：叠层钝化
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 1前言目前，晶体硅是太阳能电池的主要材料，由于晶体硅片表面存在大量的悬挂键以及体内存在的点缺陷等，严重的影响了太阳能电池的效率。因而，为了降低硅片表面的复合速率，提高电池的效率，有必要对硅片的表面采取必要的钝化措施【1工常见的表面钝化方式有PECVD SINx【2]

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