坩埚表面改性对冶金法太阳能多晶硅少子寿命的影响

【摘要】：本研究以工业硅为原料,采用真空定向凝固工艺,研究了石墨坩埚氮化硅涂层处理对冶金法制备太阳能级多晶硅性能的影响。结果表明:采用氮化硅涂层处理后,多晶硅铸锭中部少子寿命值由原来的0.85μS提高到1.91μS;顶部和底部的少子寿命值也明显提高,且与中部位置切片的少子寿命值相差不大;位错密度也由原来的5～40×10~4个/cm~2降低到5～40×10~4个/cm~2。 【作者单位】：昆明理工大学冶金与能源工程学院真空冶金国家工程实验室 云南省高校硅冶金与硅材料工程研究中心 云南大学物理学与技术学院
【关键词】：多晶硅 氮化硅涂层 少子寿命 位错密度
【基金】：国家自然科学基金-云南省联合基金(U1137601) 教育部科学技术研究重点项目(212159)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 太阳能作为世界上最优秀的清洁能源，已经受到各国越来越多的重视。由于世界各国都对太阳能光伏产业给予了前所未有的重视，据欧洲可再生能源委员会研究报告，太阳能工业到2030年将占据全球能源市场的8%[l1。硅以其高储量性、制备工艺的相对成熟性、合适的能带结构、洁净无污

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