冶金法制备太阳能级硅中湿法除B探索研究

【摘要】：实验分别研究了低浓度的HF+HCl、HF+H_2SO_4、HF+HNO_3三组混合酸常压酸浸,HCl、HNO_3两种酸加压酸浸和铵盐常压及加压浸出对工业硅中杂质B的去除影响。结果表明NH4C1+试剂X+试剂Y体系在加热的条件下除硼效果最佳,可去除工业硅中的B,去除率在50%左右。 【作者单位】：昆明理工大学真空冶金国家工程实验室 云南省高校硅冶金与硅材料工程研究中心
【关键词】：太阳能级硅 湿法冶金 除B
【基金】：国家自然科学基金项目(51064014)资助 云南省自然科学基金项目(2010CD025)资助
【分类号】：TQ127.2
【正文快照】： 硼是太阳能级硅(SoG一Si)制备过程难去除的杂质，太阳能电池一般要求硅中硼含量必须小于0.3x 10一“。硼含量过高将使太阳能电池电阻率过低，并产生光致衰减，影响太阳能电池的光电转换效率和稳定性!’一。目前，国内外针对这一难去除杂质研究较多，从原理和工艺来看，可分为

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