新型高电导宽带隙太阳能电池宣窗口材料的研究
新型高电导宽带隙太阳能电池宣窗口材料的研究【摘要】:P型窗口层是影响非晶硅(a-Si)和微晶硅(μc-Si)薄膜太阳电池整体性能的重要因素之一。本论文采用七室连续RF—PECVD系
【学位授予单位】:河北工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2004
【分类号】:TM914
【目录】:
- 第一章 绪论9-20
- 1-1 太阳能电池及其产业发展概述9-17
- 1-1-1 太阳能电池工作原理简介9
- 1-1-2 太阳能电池的分类及发展概况9-14
- 1-1-3 国际太阳能电池产业发展趋势14-16
- 1-1-4 国内太阳能电池产业发展趋势16-17
- 1-2 太阳能电池窗口材料研究发展概述17-19
- 1-2-1 窗口材料及其研究意义17-18
- 1-2-2 窗口材料的研究发展概述18-19
- 1-3 本学位论文的主要研究内容19-20
- 第二章 实验原材料、设备及方法20-25
- 2-1 实验材料20
- 2-1-1 原料气体20
- 2-1-2 衬底材料20
- 2-2 薄膜沉积设备及沉积工艺20-22
- 2-2-1 PECVD薄膜沉积设备简介20-21
- 2-2-2 窗口材料制备过程21-22
- 2-2-3 太阳能电池制备工艺22
- 2-3 测试仪器和计算方法22-25
- 2-3-1 薄膜厚度及晶化率的测量22-23
- 2-3-2 性能测量23
- 2-3-3 等离子体光谱的测量23-25
- 第三章 P型非晶硅窗口材料的研究25-30
- 3-1 工艺参数对非晶硅薄膜生长速率和性能的影响25-27
- 3-1-1 衬底温度对材料生长速率和暗电导的影响25
- 3-1-2 辉光功率对材料生长速率和暗电导的影响25-26
- 3-1-3 掺B和掺C对材料生长和电导率的影响26
- 3-1-4 薄膜生长速率随沉积时间的变化关系26-27
- 3-2 非晶硅窗口材料在电池上的应用27-28
- 3-3 与p层相关的影响电池效率的其它因素28-29
- 3-3-1 P和TCO界面对电池效率的影响28
- 3-3-2 P-I界面对电池效率的影响28-29
- 3-4 小结29-30
- 第四章 微晶硅窗口材料的研究30-48
- 4-1 本征微晶硅材料的制备30-32
- 4-2 P型微晶硅材料的制备32-37
- 4-2-1 P型微晶硅窗口材料的制备32-35
- 4-2-2 P型μc-SiC:H窗口材料的制备35-37
- 4-3 影响P型微晶硅材料性能的因素37-46
- 4-3-1 掺硼对μc-SiC:H窗口材料生长和暗电导的影响37-40
- 4-3-2 甲烷掺杂对μc-Si C:H窗口材料生长和暗电导的影响40-41
- 4-3-3 衬底温度对μc-SiC:H窗口材料生长和暗电导的影响41-42
- 4-3-4 压力对μc-SiC:H窗口材料生长速率和暗电导的影响42-43
- 4-3-5 辉光功率对μc-SiC:H窗口材料生长速率和暗电导的影响43-44
- 4-3-6 P型微晶硅材料的光学透过率44-46
- 4-4 微晶硅窗口材料在微晶硅电池上的应用46-47
- 4-4-1 μc-SiC:H窗口材料在单节μc-Si:H电池上的应用46
- 4-4-2 采用μc-SiC:H窗口材料的单节μc-Si:H电池的量子效率46-47
- 4-4-3 采用μc-SiC:H窗口材料的单节μc-Si:H电池的稳定性47
- 4-5 小结47-48
- 第五章 B(CH_3)_3为掺杂剂的宽带隙高电导窗口材料的研究48-57
- 5-1 三甲基硼掺杂剂及其辉光光谱特征48-50
- 5-1-1 三甲基硼与乙硼烷的区别48
- 5-1-2 三甲基硼与乙硼烷掺杂时的辉光光谱特征48-50
- 5-2 三甲基硼为掺杂剂制备P型非晶硅窗口材料50-53
- 5-2-1 掺三甲基硼对a-SiC:H P材料生长速率和暗电导的影响50-51
- 5-2-2 掺碳对a-SiC:H P材料生长速率和暗电导的影响51
- 5-2-3 衬底温度对a-SiC:H P材料生长速率和暗电导的影响51-53
- 5-3 三甲基硼掺杂窗口材料在非晶硅太阳电池上的应用53-56
- 5-3-1 三甲基硼掺杂窗口材料的非晶硅电池的制备与性能53-54
- 5-3-2 B(CH_3)_3掺杂a-SiC:H窗口材料制各的非晶硅电池工艺优化54-56
- 5-3-3 三甲基硼为掺杂剂制备的非晶硅电池的量子效率56
- 5-4 小结56-57
- 第六章 窗口材料沉积过程中的OES谱研究57-67
- 6-1 非晶硅窗口材料沉积时的OES谱57-61
- 6-1-1 本征a-Si:H材料制备时的OES谱57-58
- 6-1-2 P型a-SiC:H窗口材料制备时的OES谱58-59
- 6-1-3 本征和P型两种非晶硅材料制备中的OES谱的比较59-61
- 6-2 微晶硅窗口材料沉积时的OES谱61-65
- 6-2-1 本征μc-Si:H材料制备时的OES61-62
- 6-2-2 P型μc-Si:H窗口材料制备时的OES62-63
- 6-2-3 P型μc-SiC:H窗口材料沉积时的OES63-64
- 6-2-4 三种微晶硅窗口材料沉积时的OES比较64-65
- 6-3 B_2H_6对生长速率和晶化率的影响分析65-66
- 6-4 小结66-67
- 第七章 结论67-68
- 参考文献68-71
- 附录A 晶化率的计算过程71-72
- 附录B 量子效率的计算72-75
- 致谢75-76
- 攻读学位期间所取发表论文76
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