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新型高电导宽带隙太阳能电池宣窗口材料的研究

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 00:31:45
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新型高电导宽带隙太阳能电池宣窗口材料的研究【摘要】:P型窗口层是影响非晶硅(a-Si)和微晶硅(μc-Si)薄膜太阳电池整体性能的重要因素之一。本论文采用七室连续RF—PECVD系

【摘要】: P型窗口层是影响非晶硅(a-Si)和微晶硅(μc-Si)薄膜太阳电池整体性能的重要因素之一。本论文采用七室连续RF—PECVD系统,用常规掺杂剂乙硼烷制备了非晶和微晶两种窗口材料,以新型掺杂剂三甲基硼制备了非晶硅窗口材料。实验研究了工艺参数对材料性能的影响,并且考察了这几种窗口材料在硅薄膜太阳电池上的适用性。 以B_2H_6为掺杂剂制备a-SiC:H窗口材料的暗电导达到了10~(-7)s/cm的数量级,光学带隙达到1.80~1.95ev。用这种窗口材料制备的单结非晶硅太阳电池最好性能为:开路电压V_(oc)为0.835V,短路电流J_(sc)为13.03mA/cm~2,填充因子FF达0.725,初始效率为7.89%。 μc-SiC:H窗口材料的制备仍以B_2H_6为掺杂剂,暗电导最高达到了2.24s/cm。采用μc-SiC:H窗口材料的单节μc-Si:H电池初始效率达到4.80%,自然衰退率都小于15%。 用新型掺杂剂三甲基硼制备的a-SiC:H窗口材料的暗电导达到10~(-7)~10~(-6)S/cm的数量级,带隙达到1.94~2.05ev。采用这种新型窗口材料的非晶硅单结电池的开路电压达到0.886v,短路电流达到14.486mA/cm~2,填充因子为0.677,初始效率为8.67%。 此外,本文使用PR—650光谱光度计,对P室的等离子体辉光光谱(OES)进行了在线监测。分析(OES)显示两种掺杂剂对材料的形成和性能影响不同,并得出了一些有指导意义的结论。 【关键词】:窗口材料 太阳电池 硅薄膜 掺杂
【学位授予单位】:河北工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2004
【分类号】:TM914
【目录】:
  • 第一章 绪论9-20
  • 1-1 太阳能电池及其产业发展概述9-17
  • 1-1-1 太阳能电池工作原理简介9
  • 1-1-2 太阳能电池的分类及发展概况9-14
  • 1-1-3 国际太阳能电池产业发展趋势14-16
  • 1-1-4 国内太阳能电池产业发展趋势16-17
  • 1-2 太阳能电池窗口材料研究发展概述17-19
  • 1-2-1 窗口材料及其研究意义17-18
  • 1-2-2 窗口材料的研究发展概述18-19
  • 1-3 本学位论文的主要研究内容19-20
  • 第二章 实验原材料、设备及方法20-25
  • 2-1 实验材料20
  • 2-1-1 原料气体20
  • 2-1-2 衬底材料20
  • 2-2 薄膜沉积设备及沉积工艺20-22
  • 2-2-1 PECVD薄膜沉积设备简介20-21
  • 2-2-2 窗口材料制备过程21-22
  • 2-2-3 太阳能电池制备工艺22
  • 2-3 测试仪器和计算方法22-25
  • 2-3-1 薄膜厚度及晶化率的测量22-23
  • 2-3-2 性能测量23
  • 2-3-3 等离子体光谱的测量23-25
  • 第三章 P型非晶硅窗口材料的研究25-30
  • 3-1 工艺参数对非晶硅薄膜生长速率和性能的影响25-27
  • 3-1-1 衬底温度对材料生长速率和暗电导的影响25
  • 3-1-2 辉光功率对材料生长速率和暗电导的影响25-26
  • 3-1-3 掺B和掺C对材料生长和电导率的影响26
  • 3-1-4 薄膜生长速率随沉积时间的变化关系26-27
  • 3-2 非晶硅窗口材料在电池上的应用27-28
  • 3-3 与p层相关的影响电池效率的其它因素28-29
  • 3-3-1 P和TCO界面对电池效率的影响28
  • 3-3-2 P-I界面对电池效率的影响28-29
  • 3-4 小结29-30
  • 第四章 微晶硅窗口材料的研究30-48
  • 4-1 本征微晶硅材料的制备30-32
  • 4-2 P型微晶硅材料的制备32-37
  • 4-2-1 P型微晶硅窗口材料的制备32-35
  • 4-2-2 P型μc-SiC:H窗口材料的制备35-37
  • 4-3 影响P型微晶硅材料性能的因素37-46
  • 4-3-1 掺硼对μc-SiC:H窗口材料生长和暗电导的影响37-40
  • 4-3-2 甲烷掺杂对μc-Si C:H窗口材料生长和暗电导的影响40-41
  • 4-3-3 衬底温度对μc-SiC:H窗口材料生长和暗电导的影响41-42
  • 4-3-4 压力对μc-SiC:H窗口材料生长速率和暗电导的影响42-43
  • 4-3-5 辉光功率对μc-SiC:H窗口材料生长速率和暗电导的影响43-44
  • 4-3-6 P型微晶硅材料的光学透过率44-46
  • 4-4 微晶硅窗口材料在微晶硅电池上的应用46-47
  • 4-4-1 μc-SiC:H窗口材料在单节μc-Si:H电池上的应用46
  • 4-4-2 采用μc-SiC:H窗口材料的单节μc-Si:H电池的量子效率46-47
  • 4-4-3 采用μc-SiC:H窗口材料的单节μc-Si:H电池的稳定性47
  • 4-5 小结47-48
  • 第五章 B(CH_3)_3为掺杂剂的宽带隙高电导窗口材料的研究48-57
  • 5-1 三甲基硼掺杂剂及其辉光光谱特征48-50
  • 5-1-1 三甲基硼与乙硼烷的区别48
  • 5-1-2 三甲基硼与乙硼烷掺杂时的辉光光谱特征48-50
  • 5-2 三甲基硼为掺杂剂制备P型非晶硅窗口材料50-53
  • 5-2-1 掺三甲基硼对a-SiC:H P材料生长速率和暗电导的影响50-51
  • 5-2-2 掺碳对a-SiC:H P材料生长速率和暗电导的影响51
  • 5-2-3 衬底温度对a-SiC:H P材料生长速率和暗电导的影响51-53
  • 5-3 三甲基硼掺杂窗口材料在非晶硅太阳电池上的应用53-56
  • 5-3-1 三甲基硼掺杂窗口材料的非晶硅电池的制备与性能53-54
  • 5-3-2 B(CH_3)_3掺杂a-SiC:H窗口材料制各的非晶硅电池工艺优化54-56
  • 5-3-3 三甲基硼为掺杂剂制备的非晶硅电池的量子效率56
  • 5-4 小结56-57
  • 第六章 窗口材料沉积过程中的OES谱研究57-67
  • 6-1 非晶硅窗口材料沉积时的OES谱57-61
  • 6-1-1 本征a-Si:H材料制备时的OES谱57-58
  • 6-1-2 P型a-SiC:H窗口材料制备时的OES谱58-59
  • 6-1-3 本征和P型两种非晶硅材料制备中的OES谱的比较59-61
  • 6-2 微晶硅窗口材料沉积时的OES谱61-65
  • 6-2-1 本征μc-Si:H材料制备时的OES61-62
  • 6-2-2 P型μc-Si:H窗口材料制备时的OES62-63
  • 6-2-3 P型μc-SiC:H窗口材料沉积时的OES63-64
  • 6-2-4 三种微晶硅窗口材料沉积时的OES比较64-65
  • 6-3 B_2H_6对生长速率和晶化率的影响分析65-66
  • 6-4 小结66-67
  • 第七章 结论67-68
  • 参考文献68-71
  • 附录A 晶化率的计算过程71-72
  • 附录B 量子效率的计算72-75
  • 致谢75-76
  • 攻读学位期间所取发表论文76


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