带本征薄层异质结太阳能电池关键技术的研究
带本征薄层异质结太阳能电池关键技术的研究【摘要】:带本征薄层异质结(HIT)太阳能电池采用低温工艺制造,工艺简单,价格低廉,且最高转换效率已达到22.3%。与单晶硅太阳能电池相比,
【学位授予单位】:华中科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2008
【分类号】:TM914.4
【目录】:
- 摘要4-5
- ABSTRACT5-8
- 1 HIT 太阳能电池概述8-17
- 1.1 引言8-10
- 1.2 HIT 太阳能电池的特点10-11
- 1.3 HIT 太阳能电池的发展状况11-16
- 1.4 本文的主要研究内容16-17
- 2 HIT 太阳能电池的基本理论17-33
- 2.1 HIT 太阳能电池的工作原理17
- 2.2 HIT 太阳能电池的异质结理论17-20
- 2.3 HIT 太阳能电池主要性能指标及其影响因素20-23
- 2.4 HIT 太阳能电池非晶硅层的基本理论23-33
- 3 HIT 太阳能电池非晶硅层制备工艺的研究33-47
- 3.1 HIT 太阳能电池对非晶硅层的要求33-34
- 3.2 样品制备34-37
- 3.3 结果和讨论37-45
- 3.4 非晶硅层制备工艺的优化45-47
- 4 HIT 太阳能电池非晶硅/单晶硅异质结界面钝化工艺研究47-51
- 4.1 异质结界面钝化工艺概述47-48
- 4.2 异质结界面钝化工艺流程48-49
- 4.3 界面钝化结果和讨论49-50
- 4.4 界面钝化工艺小结50-51
- 5 HIT 太阳能电池单晶硅衬底表面腐蚀工艺的研究51-60
- 5.1 单晶硅衬底表面腐蚀工艺概述51-53
- 5.2 单晶硅衬底表面腐蚀实验53-55
- 5.3 实验结果和讨论55-58
- 5.4 单晶硅衬底表面腐蚀工艺的优化58-60
- 6 总结60-62
- 致谢62-63
- 参考文献63-69
- 附录1 攻读硕士学位期间发表的论文69-70
- 附录2 攻读硕士学位期间获得的奖项70-71
- 附录3 攻读硕士学位期间申请的专利71
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