P型μc-SiC:H窗口层太阳能电池特性研究
P型μc-SiC:H窗口层太阳能电池特性研究【摘要】:窗口层薄膜的光学带隙是影响非晶硅太阳能电池效率提高的关键因素。窗口层薄膜质量的好坏将直接影响太阳能电池的开路电压和短路电流大小
【学位授予单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2011
【分类号】:TM914.4
【目录】:
- 摘要4-5
- ABSTRACT5-9
- 第一章 绪论9-19
- 1.1 太阳能电池发展状况9-13
- 1.1.1 太阳电池工作原理9
- 1.1.2 几种典型太阳能电池及结构9-11
- 1.1.3 当前国内、外太阳能电池发展现况及趋势11-13
- 1.2 太阳能电池窗口层研究意义13-17
- 1.2.1 窗口材料及其研究意义13-14
- 1.2.2 P 型窗口层太阳电池发展状况14-17
- 1.2.3 不同透明导电基板概述17
- 1.3 课题研究的意义和主要内容17-19
- 第二章 实验材料、设备、工艺简介19-24
- 2.1 实验材料19
- 2.1.1 实验气体源19
- 2.1.2 实验衬底材料19
- 2.2 PECVD(等离子增强化学气相沉积)19-24
- 2.2.1 PECVD 沉膜工作原理19-22
- 2.2.2 PECVD 沉膜流程22-24
- 第三章 样品的制备与测试24-41
- 3.1 基片材料和实验气源的准备24-25
- 3.2 太阳能电池的制备25-33
- 3.2.1 窗口层μc-SiC:H 膜的沉积25-26
- 3.2.2 太阳能电池I/N 层的制备26-27
- 3.2.3 太阳能电池背电极的蒸镀27-29
- 3.2.4 太阳能电池的光刻29-31
- 3.2.5 太阳能电池样品的刻蚀31-33
- 3.3 样品的测试33-41
- 3.3.1 薄膜厚度测量33-34
- 3.3.2 薄膜透过率和光学带隙测量34-36
- 3.3.3 太阳电池性能测试36-41
- 第四章 P 型μc-SiC:H 窗口层材料的研究41-60
- 4.1 不同基板对窗口层材料特性影响41-47
- 4.1.1 不同基板对窗口层光学特性影响41-43
- 4.1.2 同种工艺条件下,不同基板上P 型μc-SiC:H 光学带隙43-44
- 4.1.3 不同基板对薄膜晶化影响44-46
- 4.1.4 P 型 μc-SiC:H 窗口层厚度的测量46-47
- 4.2 FTO 导电玻璃上P 型μc-SiC:H 窗口层材料的研究47-52
- 4.2.1 气体温度对FTO 衬底上p 型μc-SiC:H 膜透过率的影响48
- 4.2.2 射频功率对FTO 衬底上P 型μc-SiC:H 薄膜透过率的影响48-49
- 4.2.3 不同气体流量比对FTO 基板上p 型μc-SiC:H 薄膜透光率影响49-50
- 4.2.4 FTO 基板上功率和气体流量比对P 型μc-SiC:H 光学带隙影响50-52
- 4.3 太阳能电池I 特性的研究52-56
- 4.4 太阳能电池性能的测试56-60
- 4.4.1 不同基板材料电池I-V 特性56-57
- 4.4.2 P 层厚度对太阳能电池短路电流密度的影响57
- 4.4.3 P 层厚度对太阳能电池开路电压的影响57-58
- 4.4.4 CH_4:SiH_4比对太阳能电池开路电压影响58-60
- 第五章 结论60-61
- 致谢61-62
- 参考文献62-66
- 工作期间成果66-67
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