化学浴沉积法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料CdS
化学浴沉积法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料CdS【摘要】:当前,随着化石能源的日益枯竭以及环境污染等问题迫使人们寻求可替代的再生新能源。而且光伏产业正在成为各国经济发展的战略
【学位授予单位】:中国科学技术大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2011
【分类号】:TM914.42
【目录】:
- 摘要3-4
- Abstract4-7
- 第一章 绪论7-22
- 1.1 本课题研究的背景及意义7-8
- 1.2 太阳能电池的分类及基本原理8-15
- 1.2.1 无机半导体太阳能电池原理9-12
- 1.2.2 染料敏化纳米晶太阳能电池原理12-13
- 1.2.3 有机太阳能电池原理13-15
- 1.3 铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池15-19
- 1.3.1 薄膜太阳能电池研究综述15
- 1.3.2 CIGS 薄膜太阳能电池结构15-18
- 1.3.3 CIGS 薄膜太阳能电池研究现状18-19
- 1.4 本章小结19-20
- 参考文献20-22
- 第二章 CdS 多晶薄膜及CIGS 缓冲层材料22-39
- 2.1 CdS 薄膜的性质22
- 2.2 CdS 多晶薄膜的常见制备方法22-28
- 2.2.1 化学浴沉积法(CBD)22-24
- 2.2.2 电化学沉积法24-26
- 2.2.3 近空间升华法(CSS)26-27
- 2.2.4 真空蒸发与磁控溅射27-28
- 2.3 CdS 多晶薄膜的应用28-30
- 2.3.1 CdS/CdTe 异质结太阳能电池28-30
- 2.4 CIGS 太阳能电池缓冲层材料30-36
- 2.4.1 晶格失配率的计算30-31
- 2.4.2 异质结的能带结构31-34
- 2.4.3 缓冲层材料的发展34-36
- 2.5 本章小结36-37
- 参考文献37-39
- 第三章 温度和时间对化学浴沉积法制备多晶CdS 薄膜性能的影响39-59
- 3.1 引言39-41
- 3.2 实验过程41-45
- 3.3 薄膜的生长速率45-47
- 3.3.1 阿伦尼乌斯方程46-47
- 3.4 温度和沉积时间对薄膜表面形貌的影响47-48
- 3.5 XRD 表征薄膜的晶体结构48-51
- 3.6 多晶CdS 薄膜的紫外‐可见‐红外光透射谱51-52
- 3.7 CdS 多晶薄膜的带隙值分析52-56
- 3.7.1 透射光谱计算薄膜带隙52-54
- 3.7.2 CdS 多晶薄膜带隙值变化54-56
- 3.8 本章小结56-57
- 参考文献57-59
- 第四章 非真空法制备 CZTS 薄膜的初步探索59-67
- 4.1 CZTS 薄膜概述59-61
- 4.2 CZTS 薄膜的制备61-63
- 4.3 CZTS 薄膜的表征63-64
- 4.3.1 SEM 及EDX 表征63-64
- 4.3.2 XRD 表征64
- 4.4 本章小结64-65
- 参考文献65-67
- 致谢67-68
- 在读期间发表的学术论文68
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