旋涂法制备CuInS_2薄膜太阳能电池光吸收层
旋涂法制备CuInS_2薄膜太阳能电池光吸收层【摘要】:铜铟硫(CuInS_2)薄膜太阳电池由于具有高的转换效率、长期稳定性、无毒等优点而成为光伏界研究的热点。本论文主要是从高效低
【学位授予单位】:中国科学技术大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2010
【分类号】:TM914.42
【目录】:
- 摘要4-5
- Abstract5-9
- 第1章 绪论9-23
- 1.1 太阳能电池概述9-16
- 1.1.1 太阳能电池发展背景及意义9
- 1.1.2 太阳能电池发展历程及现状9-11
- 1.1.3 太阳能电池的分类11-12
- 1.1.4 太阳能电池的工作原理和基本特性12-16
- 1.1.4.1 太阳能电池的工作原理12-15
- 1.1.4.2 太阳能电池的基本特性15-16
- 1.2 CuInS_2薄膜太阳能电池简介16-21
- 1.2.1 CuInS_2 薄膜太阳能电池的发展历史和研究现状16
- 1.2.2 CuInS_2 薄膜太阳能电池的产业化情况16-17
- 1.2.3 CuInS_2 薄膜太阳能电池的结构17-18
- 1.2.4 CuInS_2 材料的基本性质18-19
- 1.2.5 CuInS_2 薄膜材料的制备19-21
- 1.2.5.1 真空蒸发法19-20
- 1.2.5.2 硫化法20-21
- 1.3 论文的选题及结构21-23
- 1.3.1 选题目的及研究内容21
- 1.3.2 论文的结构21-23
- 第2章 旋涂法制备 CuInS_2薄膜以及样品的表征方法23-28
- 2.1 旋涂法制备CuInS_2薄膜23-27
- 2.1.1 实验仪器及试剂24
- 2.1.2 衬底材料的选择及前处理24-25
- 2.1.3 纳米前驱物混合粉末的制备25
- 2.1.4 H2 退火处理25
- 2.1.5 前驱物墨水的配制25-26
- 2.1.6 旋涂法制备预置薄膜26
- 2.1.7 薄膜的预处理以及硫化26-27
- 2.2 样品表征方法27-28
- 第3章 实验结果与分析28-43
- 3.1 pH 值的变化对共沉淀产物的影响28-31
- 3.2 H2退火对制备的薄膜的影响31-37
- 3.2.1 表面形貌和EDS 结果分析31-34
- 3.2.2 XRD 分析34-35
- 3.2.3 Raman 结果分析35
- 3.2.4 光学性能35-36
- 3.2.5 硫化反应机理探讨36-37
- 3.3 硫化工艺参数的摸索37-43
- 3.3.1 硫化温度对CuInS_2 薄膜的影响37-40
- 3.3.1.1 不同硫化温度的CuInS_2 薄膜的XRD 分析38-39
- 3.3.1.2 不同硫化温度的CuInS_2 薄膜的SEM 和EDS 分析39-40
- 3.3.2 硫化时间对CuInS_2 薄膜的影响40-43
- 3.3.2.1 XRD 分析40-41
- 3.3.2.2 SEM 表面形貌和EDS 结果分析41-43
- 第4章 结论43-45
- 4.1 研究成果43-44
- 4.2 存在问题及发展前景展望44-45
- 参考文献45-47
- 在读期间发表的学术论文47-48
- 致谢48
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