多晶硅太阳能电池预处理及退火工艺研究
多晶硅太阳能电池预处理及退火工艺研究【摘要】:¨前太阳能电池行业多用管式PECVD法沉积氮化硅减反射钝化膜,然而管式设备对于实现薄膜沉积的均匀性有一定的局限,其原因在于反应腔室内部
【学位授予单位】:北京交通大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2012
【分类号】:TM914.4
【目录】:
- 致谢5-6
- 中文摘要6-7
- ABSTRACT7-8
- 序8-9
- 目录9-11
- 1 引言11-19
- 1.1 能源危机和环境污染11
- 1.2 太阳能光伏发电的研究和应用历史11-13
- 1.3 太阳能电池的研究和发展13-18
- 1.3.1 单晶硅太阳能电池13-14
- 1.3.2 多晶硅太阳能电池14-15
- 1.3.3 非晶硅薄膜太阳能电池15
- 1.3.4 化合物半导体太阳能电池15-18
- 1.4 本篇论文主要研究内容18-19
- 2 晶体硅太阳能电池的基本原理19-53
- 2.1 太阳能光电转换原理19-23
- 2.1.1 半导体材料的光吸收19
- 2.1.2 光生伏特效应19-20
- 2.1.3 太阳能发电的优点20
- 2.1.4 太阳能电池的特性20-23
- 2.2 晶体硅太阳能电池制备工艺23-53
- 2.2.1 制绒24-30
- 2.2.2 扩散-pn结制备30-35
- 2.2.3 刻蚀35-37
- 2.2.4 去磷硅玻璃37-39
- 2.2.5 制备减反射钝化膜39-44
- 2.2.6 丝网印刷44-48
- 2.2.7 烧结48-50
- 2.2.8 测试分选50-53
- 3 PECVD镀膜工艺中影响成膜质量的几个关键因素53-71
- 3.1 PECVD设备53-56
- 3.1.1 管式PECVD设备53-54
- 3.1.2 板式PECVD设备54-55
- 3.1.3 管式PECVD设备的主要性能参数以及结构组成55-56
- 3.2 石墨舟设备56-57
- 3.3 测试设备57-61
- 3.3.1 椭偏仪58-59
- 3.3.2 D8反射仪59-60
- 3.3.3 WT-2000少子寿命测试仪60-61
- 3.4 管式PECVD总气体流量、压强、射频功率对成膜质量的影响61-67
- 3.4.1 反应腔室内气体的运动61-62
- 3.4.2 实验方法及实验结果分析62-67
- 3.5 石墨舟间距对成膜均匀性的影响67-70
- 3.6 本章总结70-71
- 4 多晶硅太阳能电池氢等离子体预处理及退火工艺研究71-85
- 4.1 钝化机理介绍71-75
- 4.1.1 半导体内的复合机制71-72
- 4.1.2 钝化机理72-73
- 4.1.3 几种钝化技术简介73-75
- 4.2 氢等离子体预处理对多晶硅电池电性能以及少子寿命的影响75-81
- 4.2.1 预处理时间对电池电性能以及少子寿命的影响76-77
- 4.2.2 预处理功率对电池电性能以及少子寿命的影响77-78
- 4.2.3 预处理温度对电池电性能以及少子寿命的影响78-79
- 4.2.4 预处理压强对电池电性能以及少子寿命的影响79-81
- 4.3 退火工艺对氮化硅膜钝化效果、电池电性能以及效率的影响81-83
- 4.3.1 最佳氢钝化方式的研究81-82
- 4.3.2 退火工艺对少子寿命和电学性能的影响82-83
- 4.4 本章总结83-85
- 5 总结85-87
- 参考文献87-89
- 作者简历89-93
- 学位论文数据集93
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