首页 > 学术论文

多晶硅太阳能电池预处理及退火工艺研究

来源:论文学术网
时间:2024-08-18 22:11:23
热度:

多晶硅太阳能电池预处理及退火工艺研究【摘要】:¨前太阳能电池行业多用管式PECVD法沉积氮化硅减反射钝化膜,然而管式设备对于实现薄膜沉积的均匀性有一定的局限,其原因在于反应腔室内部

【摘要】:¨前太阳能电池行业多用管式PECVD法沉积氮化硅减反射钝化膜,然而管式设备对于实现薄膜沉积的均匀性有一定的局限,其原因在于反应腔室内部反应气体分布不均匀。这会对薄膜的表观质量造成很大的影响,形成色差片。不断出现返工片,将会阻碍产品生产效率的提高。 本论文通过大量的产线实验发现,通过总的气体流量、反应时腔室压强以及射频功率的调节,会对成膜的均匀性有很大帮助。研究表明,对于管径380mm,.管长2075mm的常用反应腔室,气体总流量在5000sccm,反应时腔室内压强在220pa,射频功率4500w左右时,仅就成膜的均匀性来讲是最佳的,几乎没有返工片,而且也不会对薄膜的其它参量造成很大的影响。研究还发现,除了以上三个工艺参量能较大的影响薄膜的表观质量外,石墨舟的间距大小,也会对薄膜均匀性造成影响,对比发现13mm间距石墨舟的成膜质量要明显优于11mm间距石墨舟。 另外,钝化工艺在晶体硅太阳电池上的应用已经十分广泛。我们在沉积氮化硅薄膜之前采用氨气电离出氢等离子体,先对硅片进行氢等离子体预处理,通过数值分析和实验的方法分别研究了预处理时间,功率,温度,压力各参数对钝化效果以及电学性能的影响。在预处理温度450℃,时间200s,射频功率4000w,气体压强200Pa,氨气流量为4000sccm时,表现出短路电流提高较为明显。然后采用等离子体增强型的化学气象沉积(PECVD)法,在电池表面镀上一层氮化硅膜,实验证实氢等离子体会透过氮化硅膜进入到硅基体内,具体表现为少子寿命提高7μs左右。之后的低温退火实验表明,430-440℃左右为最优温度,随着时间的增加,短路电流会有明显提升,光电转换效率也有提高。 【关键词】:PECVD 氮化硅薄膜 晶体硅太阳能电池 氢钝化 少数载流子寿命 退火
【学位授予单位】:北京交通大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2012
【分类号】:TM914.4
【目录】:
  • 致谢5-6
  • 中文摘要6-7
  • ABSTRACT7-8
  • 8-9
  • 目录9-11
  • 1 引言11-19
  • 1.1 能源危机和环境污染11
  • 1.2 太阳能光伏发电的研究和应用历史11-13
  • 1.3 太阳能电池的研究和发展13-18
  • 1.3.1 单晶硅太阳能电池13-14
  • 1.3.2 多晶硅太阳能电池14-15
  • 1.3.3 非晶硅薄膜太阳能电池15
  • 1.3.4 化合物半导体太阳能电池15-18
  • 1.4 本篇论文主要研究内容18-19
  • 2 晶体硅太阳能电池的基本原理19-53
  • 2.1 太阳能光电转换原理19-23
  • 2.1.1 半导体材料的光吸收19
  • 2.1.2 光生伏特效应19-20
  • 2.1.3 太阳能发电的优点20
  • 2.1.4 太阳能电池的特性20-23
  • 2.2 晶体硅太阳能电池制备工艺23-53
  • 2.2.1 制绒24-30
  • 2.2.2 扩散-pn结制备30-35
  • 2.2.3 刻蚀35-37
  • 2.2.4 去磷硅玻璃37-39
  • 2.2.5 制备减反射钝化膜39-44
  • 2.2.6 丝网印刷44-48
  • 2.2.7 烧结48-50
  • 2.2.8 测试分选50-53
  • 3 PECVD镀膜工艺中影响成膜质量的几个关键因素53-71
  • 3.1 PECVD设备53-56
  • 3.1.1 管式PECVD设备53-54
  • 3.1.2 板式PECVD设备54-55
  • 3.1.3 管式PECVD设备的主要性能参数以及结构组成55-56
  • 3.2 石墨舟设备56-57
  • 3.3 测试设备57-61
  • 3.3.1 椭偏仪58-59
  • 3.3.2 D8反射仪59-60
  • 3.3.3 WT-2000少子寿命测试仪60-61
  • 3.4 管式PECVD总气体流量、压强、射频功率对成膜质量的影响61-67
  • 3.4.1 反应腔室内气体的运动61-62
  • 3.4.2 实验方法及实验结果分析62-67
  • 3.5 石墨舟间距对成膜均匀性的影响67-70
  • 3.6 本章总结70-71
  • 4 多晶硅太阳能电池氢等离子体预处理及退火工艺研究71-85
  • 4.1 钝化机理介绍71-75
  • 4.1.1 半导体内的复合机制71-72
  • 4.1.2 钝化机理72-73
  • 4.1.3 几种钝化技术简介73-75
  • 4.2 氢等离子体预处理对多晶硅电池电性能以及少子寿命的影响75-81
  • 4.2.1 预处理时间对电池电性能以及少子寿命的影响76-77
  • 4.2.2 预处理功率对电池电性能以及少子寿命的影响77-78
  • 4.2.3 预处理温度对电池电性能以及少子寿命的影响78-79
  • 4.2.4 预处理压强对电池电性能以及少子寿命的影响79-81
  • 4.3 退火工艺对氮化硅膜钝化效果、电池电性能以及效率的影响81-83
  • 4.3.1 最佳氢钝化方式的研究81-82
  • 4.3.2 退火工艺对少子寿命和电学性能的影响82-83
  • 4.4 本章总结83-85
  • 5 总结85-87
  • 参考文献87-89
  • 作者简历89-93
  • 学位论文数据集93


您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容

等离子增强型化学气相沉积条件对氮化硅薄膜性能的影响    李新贝;张方辉;牟强;

生产型管式PECVD设备    宋玲,刘恺,杨彬,陈必雄

硅太阳能电池的丝网印刷技术    张世强;李万河;徐品烈;

低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索    许颖,励旭东,王文静,于元,赵玉文,沈辉

椭偏仪的原理和应用    余平;张晋敏;

多晶硅太阳电池的等离子体预处理研究    黄岳文;季凯春;李华维;孙励斌;徐晓群;陈斌;

财政鼓励下的光伏市场    陈君 ,杨德仁

太阳电池片烧结炉的设计及其关键性能探讨    李争;任志平;

美国光伏发电与百万屋顶计划    董玉峰,王万录,韩大星

晶硅太阳电池缺陷分析    李刚;陈五奎;刘晓清;查恩;

用碘酒和氢氟酸钝化单晶硅的比较    孙秀菊;任丙彦;周春兰;李海玲;赵雷;王文静;

薄膜太阳电池及其陶瓷硅衬底材料的制备和电子辐照研究    廖华

太阳电池用氮化硅薄膜及氢钝化研究    王晓泉

CVD制备碳基宽带隙半导体材料及其特性研究    刘维

晶体硅太阳电池制作中的扩散工艺研究    何堂贵

溶胶凝胶Al_2O_3薄膜钝化p型硅特性研究    曹文喆

n型硅上丝网印刷制备Al-p~+发射极的研究    陈伟

部分重叠双栅MOSFET特性的研究    韩名君;赵阳;柯导明;

CCD输出二极管反向漏电机理的研究    易萍

晶界对AlGaN薄膜紫外探测器时间响应特性的影响    王兰喜;陈学康;王瑞;曹生珠;

6H-SiC热氧化层高温漏电及红外光谱表征研究    曹群;牟维兵;杨翰飞;杨治美;龚敏;

椭圆偏振仪测试非晶薄膜热光系数研究    陈伟;刘爽;曾璞;刘永;刘永智;

PECVD制备氮化硅薄膜的研究    赵崇友;蔡先武;

链式氧化制备SiO_2膜的研究    张松;席曦;王振交;唐宁;季静佳;李果华;

硅太阳电池扩散方阻与栅线宽度匹配的研究    王庆伟;徐征;赵谡玲;张春萍;俞健;胡盛华;钟思华;刘金虎;张鹏;

VB-GaAs晶体生长技术中掺Si浓度的控制    牛沈军;王建利;兰天平;

电化学C-V法对载流子浓度纵向分布的精确测量    李若凡;武一宾;杨瑞霞;马永强;商耀辉;牛晨亮;

功率MOSFET低温工作特性分析    董志芳;

基于虚拟仪器技术的真实传感器实验    王云;李宝河;李长江;

Nb掺杂BaTiO3的电子结构研究    涂才根;刘诺;张曦;

多重杂质(Au、Ni)掺杂n型硅材料的热敏特性    董茂进;陈朝阳;范艳伟;丛秀云;

叠层太阳电池中不同基质硅量子点的特性研究    林娟;杨培志;

一种用于太阳被动跟踪的光电角偏差探测装置    贺晓雷;吕文华;李建英;于贺军;

一种用于太阳被动跟踪的光电角偏差探测装置    贺晓雷;吕文华;李建英;于贺军;

μc-Si (p)/c-Si(n)异质结太阳电池的模拟计算与优化    李力猛;韩兵;周炳卿;陈霞;郝丽媛;

纳米金刚石薄膜紫外探测器研究    王兰喜;陈学康;王云飞;郭晚土;吴敢;曹生珠;尚凯文;

HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制    李欣;王淑芬;毛京湘;赵晋云;

SOA非线性应用关键参数的测量    程乘

硅基应变引入方法与MOS器件相关基础研究    杨洪东

溶胶—凝胶技术在纺织品多功能整理中的应用    汪青

ZnO基透明导电膜的制备与掺杂研究    龚丽

超顺磁性氧化铁和LSMO/BCFO复合多铁薄膜的制备及其物性研究    马铭

氧化物薄膜忆阻器的材料选择与行为机制研究    李海涛

氧化钆掺杂对氧化铪高K栅介质氧空位抑制作用及电学性能研究    季梅

金属纳米晶MOS电容的存储效应研究    黄玥

射频域巨介电/铁氧体磁电双性能材料与器件研究    贺颖

3C-SiC/Si异质外延生长与肖特基二极管伏安特性的研究    陈达

高功率GaAs光电导开关设计技术研究    李寅鑫

硅、锗切割片的损伤层研究    张秀芳

太阳能电池用α-SiC_x:H薄膜的制备与性能研究    张瑞丽

电子证据可靠性问题分析    崔震宇

Mn、Co、Al掺杂SiC薄膜制备及其光敏性质研究    赵兴亮

HIT太阳电池硅片处理及复合透明导电膜的研究    王淑珍

PECVD氮化硅薄膜的制备工艺及仿真研究    邓其明

掺N的4H-SiC第一性原理研究    张智

硅/锗掺杂类金刚石薄膜特性研究    黄国俊

基于MPPT的风光互补控制器的研制    费韩

国外硅单晶质量研究进展(续Ⅱ)    王旗,陈振,浦树德,杨晴初

CdTe太阳能电池研究进展    张静全,蔡伟,郑家贵,黎兵,孙小松,蔡亚平,冯良桓

SiC单晶生长技术及器件研究进展    任学民

Si(111)碳化层中的SiC结晶    雷天民,陈治明,马剑平,余明斌

双MOS门极控制的EST的开关特性和安全工作区    张昌利,陈治明,闵源基,金相哲,朴钟文,金南均,金垠东

在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光    余明斌,马剑平,罗家骏,陈治明

氩离子轰击对射频溅射法制备的a-SiC∶H膜退火形成6H-SiC的影响    王辉耀,王印月,宋青,王天民

气相沉积立方氮化硼薄膜的研究与发展状况    程德刚,吕反修,黄志文,邱春正

超硬材料的研究进展    张贵锋

多晶硅太阳电池用SiN薄膜的研究进展    王晓泉,杨德仁,席珍强

新千年中国太阳能光伏的曙光    崔容强;胡宏勋;秦玉茂;殷石健;黄燕;孙铁囤;车孝轩;

太阳电池研究现状及发展趋势    刘祖明;涂洁磊;廖华;胡志华;王书荣;魏晋云;陈庭金;林理彬;

镁铝尖晶石透明陶瓷及单晶辐照效应研究    何捷

晶体硅太阳电池及其电子辐照研究    刘祖明

晶体硅太阳电池材料的磷吸杂研究    陈金学

基于微机测控网络的扩散/氧化系统的研究与开发    刘涛

太阳能驱动未来(下)    纪秀磊;

硅太阳能电池在我段信号点灯方面的应用    张正新;

太阳能小艇的推进装置    王绍元;

叶绿素与新能源开发    王春华;

我国太阳能利用研究状况    

多晶硅太阳能电池    筱军;

德研发出转换率逾20%的多晶硅太阳能电池    李峰;

TiO_2基太阳能电池研究进展    陈云霞;郝江波;何鑫;

采集太阳能(上)——基础化学推进新型低成本太阳能电池的开发    

2009年太阳能电池市场重新洗牌已无可避免,挑战与机遇并存    

氟基等离子体诊断以及在多晶硅太阳能电池制绒中应用研究    邹帅;辛煜;唐中华;吉亮亮;苏晓东;

浮法超白玻璃用晶硅太阳能电池盖板的研究    杜勇;李钊;

硅太阳能电池在1319nm激光辐照下的热激发载流子效应:一种对能量低于禁带宽度光子的响应研究    江天;

统计制程控制在硅太阳能制造中的应用    高传楼;

环保型硅太阳能电池背场铝浆的研究进展    付明;丁骁;范琳;

斜入射下金属纳米颗粒对硅太阳能电池吸收增益的研究    夏子奂;

杂质对晶体硅太阳电池性能的影响    励旭东;席珍强;

P型掺硼单晶硅太阳电池和组件早期光致衰减问题的研究    张光春;陈如龙;温建军;周豪浩;孙世龙;李剑;蒋仙;施正荣;

快速热处理条件下Cu沾污对多晶硅少子寿命的影响    李晓强;杨德仁;汪雷;阙端麟;

热处理对晶体硅电池PECVD a-SiNx:H薄膜氢钝化效果的影响    张高洁;班群;王栩生;王景霄;宋登元;

“英利”N型单晶硅太阳能电池技术达国际领先水平    信国安 王炳洋

单晶硅太阳能电池基地奠基    记者 黄莹 通讯员 胡沛 冯涛 徐文婷

在汉生产单晶硅太阳能电池    记者 严运涛 通讯员 胡沛 冯涛 徐文婷

全省最大高效晶硅太阳能电池项目落户清流    魏永富

晶澳成全球最大晶体硅太阳能电池片供应商    通讯员 段同刚 记者 蔡计锁

英利N型硅太阳能电池技术实现新突破    记者 刘飞

单晶硅太阳能电池片芜湖问世    记者 沈宫石 通讯员 王贤志

晶澳跃升全球最大晶体硅太阳能电池厂商    通讯员 段同刚 高琴伟 记者 郑惠华

鄂旗又一重大项目获自治区立项备案    格日乐其其格

超日太阳两项目试产成功达产后公司业绩将暴增    记者 刘相华

多晶硅太阳电池新腐蚀液的研究及其应用    刘志刚

中国光伏产业发展战略研究    李晓刚

晶体硅太阳电池及其电子辐照研究    刘祖明

低温液相法制备三元硫属半导体薄膜的研究    石勇

光伏硅晶材料的热改性研究    周潘兵

晶体硅太阳电池中的光衰减研究    陈鹏

新型阳极短路环GTO晶闸管    张昌利

多孔硅的光电性能研究    赵岳

掺锗直拉硅中的杂质缺陷及其光伏应用研究    朱鑫

等离子体浸没离子注入系统及其应用研究    刘杰

磷浆法制备选择性发射极单晶硅太阳能电池的研究    韩允

多晶硅太阳能电池预处理及退火工艺研究    张鹏

单晶硅太阳能电池生产工艺的研究    王瑶

高效多晶硅太阳能电池制备工艺研究    吴昊

背面抛光及钝化多晶硅太阳能电池研究    贺强

氟基容性耦合等离子体诊断以及在多晶硅太阳能电池制绒中的应用研究    邹帅

腐蚀法制备选择性发射极单晶硅太阳能电池的研究    海博

单晶硅太阳能电池效率进一步提高探索    游金钏

晶体硅太阳能电池丝网印刷工艺优化的研究    李栋才

单晶硅太阳能电池表面制绒新方法研究    孙林锋