阳极氧化法制备硅太阳能电池用钝化层
阳极氧化法制备硅太阳能电池用钝化层【摘要】:钝化是影响太阳电池效率的重要原因之一,现在工业化生产中常用的钝化方法有:高温热生长二氧化硅以及等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉
【学位授予单位】:大连理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2013
【分类号】:TM914.4
【目录】:
- 摘要4-5
- Abstract5-8
- 1 绪论8-11
- 1.1 太阳能电池及钝化进展8-9
- 1.2 国内太阳能电池研究概况9-11
- 2 太阳能电池及钝化原理11-17
- 2.1 太阳电池工作原理11-12
- 2.2 太阳能电池效率限制因素以及解决方法12-14
- 2.3 太阳能电池钝化14-17
- 2.3.1 半导体的表面复合14-15
- 2.3.2 多种钝化方法比较15-17
- 3 电化学二氧化硅研究17-30
- 3.1 二氧化硅及其界面性质17-20
- 3.1.1 二氧化硅中缺陷的分类17-18
- 3.1.2 二氧化硅中缺陷的产生原理18-20
- 3.2 电化学二氧化硅特性与生长机理20-24
- 3.2.1 电化学二氧化硅生长机理20-22
- 3.2.2 电化学二氧化硅特性22-23
- 3.2.3 电化学二氧化硅影响因素23-24
- 3.3 电化学二氧化硅表征技术24-30
- 3.3.1 电容-电压测试方法24-27
- 3.3.2 表面光伏(SPV)测试技术27-30
- 4 电化学生长SiO_2/Si界面特性以及钝化效果研究30-41
- 4.1 电化学二氧化硅制备过程30
- 4.2 反应电压对SiO_2/Si界面以及硅少子复合的影响30-35
- 4.3 溶液浓度对SiO_2/Si界面以及硅少子复合的影响35-36
- 4.4 反应时间对SiO_2/Si界面以及硅少子复合的影响36-39
- 4.5 栅电压改变表面电荷浓度39-41
- 5 电化学二氧化硅退火对少子复合过程的影响41-46
- 5.1 退火条件对SiO_2/Si界面特性的影响41-43
- 5.2 退火条件对光生少数载流子复合的影响43-46
- 结论46-47
- 参考文献47-51
- 攻读硕士学位期间发表学术论文情况51-52
- 致谢52-53
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