柔性基底薄膜太阳能电池研究与试制
柔性基底薄膜太阳能电池研究与试制【摘要】:太阳能电池是可再生能源领域中最具发展前景的资源之一,但高昂的制备成本及复杂的制备技术成为制约其在各领域大规模、广泛应用的瓶颈。因而,在研究
【学位授予单位】:兰州大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2010
【分类号】:TM914.4
【目录】:
- 摘要6-7
- Abstract7-12
- 第一章 绪论12-59
- 1.1 概述12-13
- 1.2 太阳电池的发展趋势13-17
- 1.2.1 薄膜太阳电池的发展优势13-14
- 1.2.2 CIGS类薄膜太阳电池的发展机遇14-16
- 1.2.3 柔性基底CIGS薄膜太阳电池的研发意义16-17
- 1.3 柔性基底CIGS薄膜太阳电池国内外发展概况17-21
- 1.4 CIGS薄膜太阳电池的结构与制备工艺21-53
- 1.4.1 CIGS薄膜太阳电池的结构21-24
- 1.4.2 CIGS薄膜太阳电池吸收层的制备工艺24-43
- 1.4.2.1 CIGS吸收层的成分24-25
- 1.4.2.2 CIGS吸收层的制备工艺25-43
- 1.4.3 CIGS太阳电池其他层的制备及存在的问题43-52
- 1.4.3.1 背电极43-47
- 1.4.3.2 缓冲层47-50
- 1.4.3.3 窗口层50-51
- 1.4.3.4 栅电极51
- 1.4.3.5 阻挡层51-52
- 1.4.4 柔性CIGS薄膜太阳电池产业化所需要的技术52-53
- 1.5 本论文的主要研究工作53-54
- 1.6 本章小结54-55
- 参考文献55-59
- 第二章 Roll-to-Roll溅射沉积中的关键技术研究59-101
- 2.1 引言59
- 2.2 多靶连续卷绕镀膜机溅射室布气均匀性研究59-66
- 2.2.1 概述59-61
- 2.2.2 充气管道设计计算61
- 2.2.3 抽气管道设计计算61-65
- 2.2.4 布气均匀性设计65
- 2.2.5 试验65-66
- 2.2.6 结论66
- 2.3 柔性基底薄膜太阳电池背电极织构化研究66-75
- 2.3.1 概述66-67
- 2.3.2 聚酰亚胺(PI)衬底上Al电极织构化研究67-74
- 2.3.3 结论74-75
- 2.4 离子束辅助反应溅射技术75-99
- 2.4.1 引言75-78
- 2.4.1.1 反应磁控溅射75-77
- 2.4.1.2 离子束辅助反应溅射技术77-78
- 2.4.2 离子束辅助溅射沉积系统78-81
- 2.4.2.1 脉冲磁控溅射电源79-80
- 2.4.2.2 阳极膜线性离子源80-81
- 2.4.3 离子束辅助反应溅射模型81-84
- 2.4.3.1 电荷交换(Charge Exchange)82
- 2.4.3.2 原子碰撞(Atomic Collision)82-83
- 2.4.3.3 增强扩散(Enhanced Diffusivity)83
- 2.4.3.4 化学反应(Chemical Reaction)83-84
- 2.4.4 采用离子束辅助反应溅射技术沉积Al_2O_3阻挡膜84-99
- 2.4.4.1 引言84-86
- 2.4.4.2 氧离子辅助下的迟滞现象86
- 2.4.4.3 离子能量对薄膜成分及性能的影响86-91
- 2.4.4.4 离子源放电电流对薄膜成分及性能的影响91-93
- 2.4.4.5 氧气分量对薄膜性质的影响93-96
- 2.4.4.6 磁控靶溅射功率对薄膜性质的影响96-98
- 2.4.4.7 IBO辅助脉冲反应磁控溅射技术制备Al_2O_3薄膜工艺参数98-99
- 2.4.5 结论99
- 2.5 本章小结99-100
- 参考文献100-101
- 第三章 柔性基底CuInSe_2薄膜太阳能电池的溅射沉积初步研究101-108
- 3.1 引言101-102
- 3.2 CIS太阳电池制备102-103
- 3.2.1 阻挡层镀制102-103
- 3.2.2 背电极层镀制103
- 3.2.3 吸收层镀制103
- 3.2.4 缓冲层镀制103
- 3.2.5 窗口层镀制103
- 3.3 各膜层测试结果及分析103-107
- 3.3.1 背电极层特性103-104
- 3.3.2 吸收层特性104-106
- 3.3.3 电特性106-107
- 3.4 本章小结107
- 参考文献107-108
- 第四章 柔性基底a-Si薄膜太阳电池沉积技术探索研究108-129
- 4.1 引言108-109
- 4.2 阻挡层材料选择及制备工艺研究109-113
- 4.2.1 不同阻挡层材料阻挡效果考察109-111
- 4.2.2 不同成分NiAl合金阻挡层阻挡效果研究111-113
- 4.2.3 小结113
- 4.3 非晶硅薄膜的溅射制备技术研究113-120
- 4.3.1 样品的制备113-114
- 4.3.2 不同工艺条件对硅薄膜沉积速率的影响114-117
- 4.3.3 不同工艺条件对薄膜晶化程度的影响117-118
- 4.3.4 薄膜表面形貌观察118-119
- 4.3.5 小结119-120
- 4.4 Si薄膜掺杂研究120-128
- 4.4.1 非晶硅薄膜的N型、P型掺杂研究120-121
- 4.4.2 样品测试与表征121-123
- 4.4.2.1 薄膜的厚度测量121-122
- 4.4.2.2 薄膜的霍尔分析122-123
- 4.4.3 数据分析及讨论123-128
- 4.4.3.1 硼掺杂(N型)数据分析及讨论123-125
- 4.4.3.2 磷烷掺杂试验过程及数据分析125-128
- 4.5 结论128-129
- 第五章 总结129-131
- 5.1 本论文的主要工作及研究成果129
- 5.2 下一步的工作及展望129-131
- 攻读博士学位期间发表的学术论文131-134
- 致谢134
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