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柔性基底薄膜太阳能电池研究与试制

来源:论文学术网
时间:2024-08-18 21:30:48
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柔性基底薄膜太阳能电池研究与试制【摘要】:太阳能电池是可再生能源领域中最具发展前景的资源之一,但高昂的制备成本及复杂的制备技术成为制约其在各领域大规模、广泛应用的瓶颈。因而,在研究

【摘要】: 太阳能电池是可再生能源领域中最具发展前景的资源之一,但高昂的制备成本及复杂的制备技术成为制约其在各领域大规模、广泛应用的瓶颈。因而,在研究提高太阳能电池的光电转换效率和运行稳定性的同时,还应致力于开发更经济的制备技术与工艺。柔性基底的薄膜太阳能电池由于其高的转换效率、低成本潜能和多样的应用性而备受关注。本论文的重点在于探索新的技术制备柔性基底CIS薄膜太阳能电池,并对制备得到的太阳能电池进行了初步的电性能测试。 基于聚酰亚胺薄膜或铝箔等柔性基底上的CIS薄膜太阳电池的发展遇到的最大的挑战在于开发一种适于基底承受温度、镀层热物理特性、大面积均匀性控制、高效的低温沉积工艺,以满足对结构、光电特性和低成本的要求。 论文重点探讨了大面积柔性基底薄膜太阳电池制备过程中的相关核心技术。为实现大面积均匀性控制,提出了连续卷绕溅射镀膜过程气体分布模型,控制方法,试验验证了控制方法的科学性;为实现高效制备、节省厚度(材料),提出了一种新的可实现织构化的方法,探讨了溅射功率、沉积温度等因素对织构化的影响,通过试验获得了实现织构化的参数范围;为实现柔性基底上低温沉积高质量的化合物并提高制备效率,提出了离子束辅助反应溅射沉积技术,探讨了该技术的物理机制、反应模型,并通过Roll-to-Roll制备柔性基底太阳电池必需的阻挡层A1203薄膜验证了其可行性,可用于CIGS薄膜的低温硒化。 论文最后采用所研究的Roll-to-Roll溅射沉积技术在Al箔上开展了CIS太阳电池的试制。整个过程为真空镀膜过程,用低能溅射ZnO技术替代了CdS层的水浴法。在CIS的沉积中应用了简化的离子束辅助反应溅射沉积技术。完成的CIS光伏薄膜具有明显的光电特性。也尝试制备了非晶硅薄膜试样,研究了制备工艺对非晶硅结构、成份、光电特性的影响。 【关键词】:
【学位授予单位】:兰州大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2010
【分类号】:TM914.4
【目录】:
  • 摘要6-7
  • Abstract7-12
  • 第一章 绪论12-59
  • 1.1 概述12-13
  • 1.2 太阳电池的发展趋势13-17
  • 1.2.1 薄膜太阳电池的发展优势13-14
  • 1.2.2 CIGS类薄膜太阳电池的发展机遇14-16
  • 1.2.3 柔性基底CIGS薄膜太阳电池的研发意义16-17
  • 1.3 柔性基底CIGS薄膜太阳电池国内外发展概况17-21
  • 1.4 CIGS薄膜太阳电池的结构与制备工艺21-53
  • 1.4.1 CIGS薄膜太阳电池的结构21-24
  • 1.4.2 CIGS薄膜太阳电池吸收层的制备工艺24-43
  • 1.4.2.1 CIGS吸收层的成分24-25
  • 1.4.2.2 CIGS吸收层的制备工艺25-43
  • 1.4.3 CIGS太阳电池其他层的制备及存在的问题43-52
  • 1.4.3.1 背电极43-47
  • 1.4.3.2 缓冲层47-50
  • 1.4.3.3 窗口层50-51
  • 1.4.3.4 栅电极51
  • 1.4.3.5 阻挡层51-52
  • 1.4.4 柔性CIGS薄膜太阳电池产业化所需要的技术52-53
  • 1.5 本论文的主要研究工作53-54
  • 1.6 本章小结54-55
  • 参考文献55-59
  • 第二章 Roll-to-Roll溅射沉积中的关键技术研究59-101
  • 2.1 引言59
  • 2.2 多靶连续卷绕镀膜机溅射室布气均匀性研究59-66
  • 2.2.1 概述59-61
  • 2.2.2 充气管道设计计算61
  • 2.2.3 抽气管道设计计算61-65
  • 2.2.4 布气均匀性设计65
  • 2.2.5 试验65-66
  • 2.2.6 结论66
  • 2.3 柔性基底薄膜太阳电池背电极织构化研究66-75
  • 2.3.1 概述66-67
  • 2.3.2 聚酰亚胺(PI)衬底上Al电极织构化研究67-74
  • 2.3.3 结论74-75
  • 2.4 离子束辅助反应溅射技术75-99
  • 2.4.1 引言75-78
  • 2.4.1.1 反应磁控溅射75-77
  • 2.4.1.2 离子束辅助反应溅射技术77-78
  • 2.4.2 离子束辅助溅射沉积系统78-81
  • 2.4.2.1 脉冲磁控溅射电源79-80
  • 2.4.2.2 阳极膜线性离子源80-81
  • 2.4.3 离子束辅助反应溅射模型81-84
  • 2.4.3.1 电荷交换(Charge Exchange)82
  • 2.4.3.2 原子碰撞(Atomic Collision)82-83
  • 2.4.3.3 增强扩散(Enhanced Diffusivity)83
  • 2.4.3.4 化学反应(Chemical Reaction)83-84
  • 2.4.4 采用离子束辅助反应溅射技术沉积Al_2O_3阻挡膜84-99
  • 2.4.4.1 引言84-86
  • 2.4.4.2 氧离子辅助下的迟滞现象86
  • 2.4.4.3 离子能量对薄膜成分及性能的影响86-91
  • 2.4.4.4 离子源放电电流对薄膜成分及性能的影响91-93
  • 2.4.4.5 氧气分量对薄膜性质的影响93-96
  • 2.4.4.6 磁控靶溅射功率对薄膜性质的影响96-98
  • 2.4.4.7 IBO辅助脉冲反应磁控溅射技术制备Al_2O_3薄膜工艺参数98-99
  • 2.4.5 结论99
  • 2.5 本章小结99-100
  • 参考文献100-101
  • 第三章 柔性基底CuInSe_2薄膜太阳能电池的溅射沉积初步研究101-108
  • 3.1 引言101-102
  • 3.2 CIS太阳电池制备102-103
  • 3.2.1 阻挡层镀制102-103
  • 3.2.2 背电极层镀制103
  • 3.2.3 吸收层镀制103
  • 3.2.4 缓冲层镀制103
  • 3.2.5 窗口层镀制103
  • 3.3 各膜层测试结果及分析103-107
  • 3.3.1 背电极层特性103-104
  • 3.3.2 吸收层特性104-106
  • 3.3.3 电特性106-107
  • 3.4 本章小结107
  • 参考文献107-108
  • 第四章 柔性基底a-Si薄膜太阳电池沉积技术探索研究108-129
  • 4.1 引言108-109
  • 4.2 阻挡层材料选择及制备工艺研究109-113
  • 4.2.1 不同阻挡层材料阻挡效果考察109-111
  • 4.2.2 不同成分NiAl合金阻挡层阻挡效果研究111-113
  • 4.2.3 小结113
  • 4.3 非晶硅薄膜的溅射制备技术研究113-120
  • 4.3.1 样品的制备113-114
  • 4.3.2 不同工艺条件对硅薄膜沉积速率的影响114-117
  • 4.3.3 不同工艺条件对薄膜晶化程度的影响117-118
  • 4.3.4 薄膜表面形貌观察118-119
  • 4.3.5 小结119-120
  • 4.4 Si薄膜掺杂研究120-128
  • 4.4.1 非晶硅薄膜的N型、P型掺杂研究120-121
  • 4.4.2 样品测试与表征121-123
  • 4.4.2.1 薄膜的厚度测量121-122
  • 4.4.2.2 薄膜的霍尔分析122-123
  • 4.4.3 数据分析及讨论123-128
  • 4.4.3.1 硼掺杂(N型)数据分析及讨论123-125
  • 4.4.3.2 磷烷掺杂试验过程及数据分析125-128
  • 4.5 结论128-129
  • 第五章 总结129-131
  • 5.1 本论文的主要工作及研究成果129
  • 5.2 下一步的工作及展望129-131
  • 攻读博士学位期间发表的学术论文131-134
  • 致谢134


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