甲烷掺杂SiCOH薄膜的制备和性能研究
甲烷掺杂SiCOH薄膜的制备和性能研究【摘要】:通过在前驱气体D5源中添加甲烷,由ECRCVD沉积技术制备出了低介电常数的SiCOH薄膜,在甲烷流量为2sccm的条件下,获得了k值
【学位授予单位】:苏州大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2006
【分类号】:O484.4
【目录】:
- 中文摘要3-4
- 英文摘要4-7
- 第一章 绪论7-15
- 1.1 低介电常数材料的研究背景7-9
- 1.2 SiCOH薄膜研究现状9-12
- 1.3 本小组有关SiCOH薄膜的研究12-13
- 1.4 本文的研究内容13-15
- 第二章 SiCOH薄膜的制各及表征方法15-26
- 2.1 SiCOH薄膜的制备方法15-18
- 2.1.1 微波电子回旋共振等离子体(ECR Plasma)简介15-16
- 2.1.2 ECR等离子体沉积薄膜方法与实验装置16-17
- 2.1.3 实验参数17-18
- 2.2 SiCOH薄膜性能与结构的表征方法18-22
- 2.2.1 SiCOH薄膜的介电与电学性能的表征18-19
- 2.2.2 SiCOH薄膜结构的傅立叶变换红外光谱表征19-22
- 2.3 ECR放电等离子体特性分析22-26
- 2.3.1 ECR放电等离子体发射光谱的诊断原理与方法22-24
- 2.3.2 特征谱线与基团识别24-26
- 第三章 甲烷掺杂的SiCOH薄膜的介电、电学性能与键结构分析26-34
- 3.1 甲烷掺杂的SiCOH薄膜的键结构分析26-30
- 3.2 薄膜的介电特性30-31
- 3.3 等离子体发光光谱的诊断31-32
- 3.4 甲烷掺杂的SiCOH薄膜的电绝缘性能32-34
- 第四章 退火气氛对薄膜结构和电学性质的影响34-41
- 4.1 键结构的FTIR分析34-39
- 4.2 薄膜的介电与电学性质39-41
- 4.2.1 薄膜的介电性能39
- 4.2.2 薄膜的漏电流39-41
- 第五章 结论41-43
- 5.1 本研究的主要结果41-42
- 5.2 存在的主要问题和进一步研究的方向42-43
- 参考文献43-47
- 附录:攻读学位期间公开发表的论文47-49
- 致谢49-50
- 中文详细摘要50-52
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