多晶GaP/CuInS_2异质结太阳能电池的光电流及转换效率的计算与分析

【摘要】：本文根据半导体材料的性能参数对5μm厚度GaP/CuInS_2异质结单晶和多晶薄膜太阳电池在各种掺杂浓度下的光伏特性作了较严格的分析与计算。要计算中具体考虑到耗尽区密度W(或光电压V)的变化以及内表面复合损失对光电流J_L的影响,此外还用晶界复合损失模型计算了晶粒度对光电流及光伏特性的影响。发现存在一个最佳化的CulnS_2掺杂浓度Na_(max),对于单晶和R=4μm的多晶电池,Na_(max)=10~(16)/cm~3,相应的最大转换效率η分别为16.2％和15.2％。 【作者单位】：
【关键词】： 太阳电池 多晶 异质结 计算
【正文快照】： 序言 在卜vl族和I一I一vl族化合物半导体中,有不少可成为良好的廉价光伏材料.因为这些材料具有以下几方面的特点:(l)其禁带宽度灼一般在1.0一1、sv的光伏适用范围;(2)具有直接能隙、光吸收系数大,很薄的厚度就可充分吸收阳光;这适合制作薄膜太阳能电池,(3)在薄膜制作方法上可

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