a-Si PIN太阳能电池中PI间缓冲层的作用

【摘要】：本文测量了电池表观禁带宽度E_g~(app)与缓冲层厚度的关系,研究表明,缓冲层能改善V_(oc)的原因是加宽了电池的表观带隙,降低反向饱和电流。它还能增强PI界面电场强度,减小该区及Ⅰ层内的复合。但碳的引入又会降低电池稳定性,为此需要兼顾电池性能与稳定性而优化选择缓冲层的厚度。 【作者单位】： 南开大学电子科学系 南开大学电子科学系 南开大学电子科学系 南开大学电子科学系 南开大学电子科学系 南开大学电子科学系 南开大学电子科学系 南开大学电子科学系
【关键词】： 缓冲层 太阳能电池 光衰退 缺陷态 光生载流子 反向饱和电流 复合电流 电池性能 南开大学 层厚度
【正文快照】： 一、引言 a一si太阳能电池研究正处于一个持续时期,这可由近三年来小面积单结电池最高效率停留在12%仇刀,a一si基合金盛层电池最高效率徘徊在13.7%认3j的数据得以看出。需要从材料、电池结构和制备工艺等项目着手,把a一i电池的研究引向深入。 在Pl层之间引入适当的缓冲层(buff

您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容

有n缓冲层SOI RESURF结构的电场分布解析模型    方健,李肇基,张波

氮化工艺对GaN缓冲层生长的影响    孙万峰;顾彪;徐茵;秦福文;马世猛;

缓冲层厚度对透明导电薄膜ZnO∶Zr性能的影响(英文)    张化福;李雪;类成新;刘汉法;袁长坤;

横模可控的具有缓冲层和平凸波导(BL-PCW)结构的1.5μm范围的InGaAsP/InP激光器    Kazuo Sakai;刘春良;

非晶硅锗单结电池的研究    王广才,孙建,耿新华,孙云,李洪波,刘世国,陆靖谷

用小面可控缓冲层生产出高品质AlGaN    陈裕权;

空穴缓冲层CuPc对有机电致发光器件特性的影响    郑代顺,张旭,钱可元

ZnO缓冲层上定向ZnO纳米杆阵列的制备    何辉;李金钗;廖蕾;卢红兵;王多发;

大功率集成器件——集成门极换流晶闸管IGCT    吴琳;王相森;吴春瑜;

供MESFET用的AsCl_3/Ga/H_2双鼓泡瓶GaAs CVD系统的特性    H.M.Cox;李中南;

石墨缓冲层对有机电致发光器件性能的影响    姚宁;邢宏伟;穆慧慧;常立红;崔娜娜;王英俭;张兵临;

使用氧化锌奈米层当作缓冲层之氮化镓发光二极体    陈隆建;张德全;钟正邦;

退火条件和缓冲层对Si基β-FeSi_2发光二极管的影响    李成;赖虹凯;陈松岩;

利用Ba_(0.65)Ru_(0.35)TiO_3缓冲层制备高热释电系数的Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3薄膜    刘祚麟;吴传贵;张万里;刘兴钊;李言荣;

MBE生长中缓冲层对InSb/GaAs质量影响的研究    李占国;刘国军;尤明慧;熊敏;李梅;李林;

高压SOI-LIGBT特性研究    孙伟锋;陈越政;钱钦松;

锗硅半导体量子点及薄膜的制备研究    叶辉;张磊;张冲;皇甫幼睿;刘旭;

MOCVD ZnO缓冲层生长与退火研究    朱光耀;顾书林;朱顺明;

以C_(60)为空穴缓冲层的电致发光器件    朱文清;郑新友;张步新;吴有智;蒋雪茵;张志林;许少鸿;

InN薄膜MOCVD生长初期成核研究与应力分析    张曾;张荣;谢自力;刘斌;修向前;江若琏;韩平;顾书林;施毅;郑有炓;

Corning    

光纤端接的技巧    

OLED技术刚起步 中国并未落后    四川虹视显示技术有限公司 文东星　田朝勇

GaN和AIGaN/GaN的RFP-MBE生长及其特性研究    赵智彪

有机发光二极管中载流子注入和传输机制的研究    张松涛

有机电致发光材料及器件的研究    欧谷平

有机电致发光器件中的能量与载流子调控问题研究    王福芝

脉冲激光沉积氧化锌及其相关多层膜的研究    霍炳至

硅衬底GaN基蓝光LED材料生长及器件研制    莫春兰

通信光电子半导体材料异质兼容的理论与实验研究    熊德平

钛酸铋系铁电薄膜材料改性研究    吴云翼

有机电致发光器件的稳定性研究    詹义强

关于改善硅基顶发射有机电致发光器件性能的研究    陈淑芬

3C-SiC缓冲层对在6H-SiC上生长SiCGe的影响    许钧

AlGaN日盲紫外探测器材料生长及表征    梁栋

GaN生长中氮化工艺及GaMnN薄膜生长研究    孙万峰

采用缓冲层结构的脉冲功率开关RSD研究    刘宝生

脉冲激光沉积GaN薄膜研究    席洪柱

GaN ECR-PEMOCVD生长表面RHEED图像研究    郎佳红

氧化锌薄膜材料的MOCVD生长及其特性研究    闫小龙

采用液相化学法沉积ZnS缓冲层的研究    余正荣

新结构低功耗IGBT的研究    高琰

GaN及GaN基薄膜的制备、表征和特性研究    卢意飞