a－Si∶H　Schottky势垒太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应

【摘要】：本文应用计算机数值模拟方法研究了ａ－Ｓｉ：ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势主太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应．结果表明，无论先生空穴或电子俘获都将改变电池中的电场分布，导致准中性区（低场“死层”）出现或扩大，从而减小了电池的载流子收集长度，这是引起ａ－Ｓｉ：ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势垒太阳能电池光致性能衰退的一个重要原因． 【关键词】： 载流子俘获 a－Si∶H光致性能衰退 Scharfetter—Gummel解法
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： ａ－Ｓｉ∶ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势垒太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应林鸿生（物理系）摘要本文应用计算机数值模拟方法研究了ａ－Ｓｉ：ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势主太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应．结果表明，无论先生空穴或电子俘获都将改变电池中的电

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