氢化非晶硅中空穴与电子的俘获效应──PIN型非晶硅太阳能电池稳定性研究

【摘要】：通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明，载流子俘获效应所造成的α－Ｓｉ：Ｈ中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生改变和准中性区（低场“死层”）的出现，使电池性能因光的长期辐照而衰退。本文还讨论了α－Ｓｉ：Ｈ中载流子俘获效应的研究在高稳定性ＰＩＮ型非晶硅太阳能电池研制中的重要性。 【作者单位】： 中国科学技术大学物理系
【关键词】： 载流子俘获效应 α－Si：H光致性能衰退 Scharfetter－Gummel解法
【分类号】：TM914.410
【正文快照】： 氢化非晶硅中空穴与电子的俘获效应──ＰＩＮ型非晶硅太阳能电池稳定性研究林鸿生（中国科学技术大学物理系，合肥，２３００２６）摘要通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳能电池进行计

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