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a-Si/c-Si异质结太阳能电池制造中的技术分析

关注热度:114   来源:新能源学术论文  作者:林鸿生 陈备
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【摘要】:应用数值模拟方法计算p(a-Si:H)/n(c-Si)异质结和p(a-Si:H)/i(a-Si:H)/n(c-Si)结-异质结太阳能电池的电场强度分布,指出异质结电池制造中对a-Si:H膜厚的选择,进而对嵌入本征i(a-Si:H)层的结-异质结太阳能电池设计进行分析并讨论其稳定性
【作者单位】: 中国科学技术大学物理系
【关键词】异质结太阳能电池 a-Si:H隙态密度分布 载流子收集长度
【分类号】:TM914.42
【正文快照】:
a-Si/c-Si异质结太阳能电池制造中的技术分析⒇林鸿生陈备(中国科学技术大学物理系)摘要应用数值模拟方法计算p(a-Si:H)/n(c-Si)异质结和p(a-Si:H)/i(a-Si:H)/n(c-Si)结-异质结太阳能电池的电场强度分布,指出异质


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关键词: 异质结太阳能电池

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