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太阳能级硅激光刻槽埋栅电池的研究

来源:论文学术网
时间:2024-08-18 20:15:01
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太阳能级硅激光刻槽埋栅电池的研究【摘要】:探讨了廉价太阳能级硅材料对电池性能可能的影响,据此对激光刻槽埋栅电池的工艺加以优化.在此基础上制作的大面积太阳电池的转换效率达到16.59

【摘要】:探讨了廉价太阳能级硅材料对电池性能可能的影响,据此对激光刻槽埋栅电池的工艺加以优化.在此基础上制作的大面积太阳电池的转换效率达到16.59%. 【作者单位】: 北京师范大学低能核物理研究所!100875 北京 北京师范大学低能核物理研究所!100875 北京 北京市太阳能研究所!100083 北京 北京市太阳能研究所!100083 北京 北京市太阳能研究所!100083 北京 北京市太阳能研究所!100083 北京
【关键词】太阳能级硅 激光刻槽埋栅电池 氧杂质
【分类号】:TM914.4
【正文快照】: 激光刻槽埋栅太阳电池(BCSC)的概念提出于80年代.由于其光电转换效率高、工艺相对简单、适于规模生产,兼具高效和低成本两方面的优势,因而在实验室和产业化领域中都受到广泛重视.目前,大规模生产的激光刻槽埋栅电池其单位功率成本已接近甚至低于常规丝网印刷电

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