嵌入a-Si∶H薄层的μc-Si/c-Sipn异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟分析

【摘要】：应用计算机数值模拟方法计算ｐ＋ （μｃ－Ｓｉ∶Ｈ） ／ｎ （ｃ－Ｓｉ） 及ｐ＋ （μｃ－Ｓｉ∶Ｈ） ／ｉ （ａ－Ｓｉ∶Ｈ） ／ｎ （ｃ－Ｓｉ） 异质结太阳能电池中的电场强度分布， 说明μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结电池制造中μｃ－Ｓｉ∶Ｈ 膜厚选择，进而对嵌入ａ－Ｓｉ∶Ｈ 薄层的μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结太阳能电池设计进行分析， 包括ａ－Ｓｉ∶Ｈ 薄层ｐ 型掺杂效应及本底单晶硅的电阻率选择， 最后讨论μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结太阳能电池稳定性 【作者单位】： 中国科学技术大学物理系!合肥230026
【关键词】： 异质结太阳能电池 Newton-Raphson解法 μc-Si∶H隙态密度分布 载流子收集
【基金】：国家自然科学基金 安徽省自然科学基金
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： １　引　言μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉｐｎ异质结太阳能电池是通过化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）［１］或辉光放电（ＧＤ）［２，３］技术把μｃ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜直接沉积于ｎ型单晶硅ｎ（ｃ－Ｓｉ）本底材料上而成的，沉积温度低于２２０℃，从而避免采用传统的高温（＞９００℃）扩

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