μc-SiC/poly-Si异质结太阳能电池制造中的一些技术分析
μc-SiC/poly-Si异质结太阳能电池制造中的一些技术分析【摘要】:应用计算机数值模拟方法计算n+(μc-SiC:H)/p(poly-Si)及n+(μc-SiC∶H)/i(a
【关键词】: 异质结太阳能电池 Newton-Raphson解法 a-SiC∶H隙态密度分布 载流子收集
【分类号】:TM914
【正文快照】: 1引言传统单晶硅(。-St)太阳能电池由于材料、器件制造工艺日臻完善,其电池能量转换效率高达24%[‘],名列半导体太阳能电池前茅。但昂贵成本和制造价格妨碍了它在工业中的广泛应用。70年代,研究者在多晶硅(poly毛i)上制造太阳能电池,作了降低成本价格的第一个尝
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