n-CdTe Schottky势垒薄膜太阳能电池中嵌入p型层对其势垒高度影响的计算机模拟

【摘要】：通过求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡态金属：ｐ－ｎ－ＣｄＴｅＳｃｈｏｔｋｙ势垒薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。嵌入的ｐ型层增大传统金属：ｎ－ＣｄＴｅ结的有效Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒高度与ｐ型层厚度、掺杂浓度以及ｎ－ＣｄＴｅ本底电阻率有依赖关系。最后讨论嵌入ｐ型层增强ＣｄＴｅＳｃｈｏｔｋｙ势垒太阳能电池对光生载流子的收集作用。 【作者单位】： 中国科学技术大学物理系
【关键词】： CdTe基薄膜太阳能电池 有效Schottky势垒高度 Newton－Raphson解法
【分类号】：O242.23,TM914.4
【正文快照】： ｎ┐ＣｄＴｅＳｃｈｏｔｋｙ势垒薄膜太阳能电池中嵌入ｐ型层对其势垒高度影响的计算机模拟林鸿生（中国科学技术大学物理系，合肥２３００２６）摘要通过求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡态金属：ｐ－ｎ－ＣｄＴｅＳｃｈｏｔｋｙ势垒薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。嵌

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