a—SiC/c—Si异质结太阳能电池中a—SiC:H薄膜的设计分析

【摘要】：通过应用 Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解 Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡 ｐ＋（ａ－ＳｉＣ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析。给出了ｐ＋（ａ－ＳｉＣ：Ｈ）膜厚及其ｐ型掺杂浓度设计，还讨论了ｐ＋（ａ－ｓｉＣ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池稳定性。 【作者单位】： 中国科学技术大学物理系 中国科学技术大学物理系 中国科学技术大学物理系
【关键词】： 异质结太阳能电池 Newton-Raphson解法 a-SiC H隙态密度分布 载流子收集
【基金】：国家自然科学基金（69876024）
【分类号】：TM914
【正文快照】： １９１言 非晶（薄膜卜晶态硅异质结，诸如ａ－ＳｉｌＣ－Ｓｔ，卜ｃ－ＳｉｌｏＳ和ｐ＋（ａ－ＳＩＣ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｔ）等结构太阳能电池近年来得到人们愈来愈浓厚的兴趣ｌ’，’，’］，原因是晶态硅半导体太阳能电池能量转换效率虽高达２４％，但造价昂贵，而ａ－Ｓｔ

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