a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池设计分析

【摘要】：通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析 ,着重阐述在 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池中嵌入 i( a- Si:H)缓冲薄层的作用 ,指出采用嵌入 i( a- Si:H )缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集 ,从而提高 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池的性能 ,同时还讨论 p+ ( a- Si:H)薄膜厚度和 p型掺杂浓度对光生载流子传输与收集的影响 ,而高强度光照射下模拟计算表明 ,a- Si/ c- Si异质结结构太阳能电池具有较高光稳定性 【作者单位】： 中国科学技术大学物理系 中国科学技术大学物理系
【关键词】： 异质结太阳能电池 牛顿-拉普森解法 氢化非晶硅隙态密度 载流子收集
【基金】：国家自然科学基金资助项目 (No.698760 2 4)
【分类号】：TM914.42
【正文快照】： 1　引　　言非晶 (薄膜 ) -晶态硅异质结 ,诸如 a- Si/c- Si,μc- Si/c- Si和 a- Si C/c- Si等结构太阳能电池近年来得到人们愈来愈浓厚的兴趣 [1～ 4] ,原因是晶态硅半导体太阳能电池能量转换效率虽高达 2 4 % ,但造价昂贵 ,而 a- Si:H基太阳能电池不仅能大面积生产 ,造价又

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