缺陷态密度对纳米硅太阳能电池的影响

【摘要】：运用美国宾州大学发展的AMPS-1D程序模拟了P-I-N结构的纳米硅薄膜太阳电池中I层、P-I界面、N-I界面的缺陷态密度对电池的输出特性的影响。结果表明,在其他参数保持不变的情况下,随着I层缺陷态密度的增大,I层的最佳厚度逐渐减小,且效率降低。P-I界面的缺陷态密度对电池输出特性的影响十分显著,随着缺陷态密度及界面层厚度的增大,效率下降。而N-I界面态对电池的影响不大 【作者单位】： 中国地质大学(北京)工程技术学院;中国地质大学(北京)土地科学技术学院;中国地质大学(北京)数理学院;
【关键词】： 缺陷态密度 纳米硅薄膜 太阳能电池 计算机模拟
【分类号】：TQ127.2;TM914.4
【正文快照】： 1引言非晶硅薄膜的光致衰退效应是制约其进一步发展的主要瓶颈。近年来人们通过改变材料的无规网络结构,形成结构更为有序的纳米硅薄膜,缓解了光致衰退效应[1-3]。尽管与非晶硅薄膜电池相比,纳米硅薄膜电池的效率和稳定性都大大提高,但与多晶硅和单晶硅电池相比,其转换效率仍

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