微晶硅材料高速生长及其在太阳能电池中的应用

【摘要】：高气压耗尽RF-PECVD在高速生长优质微晶硅材料和太阳能电池方面具有巨大的优势。采用这种沉积方法,本征微晶硅材料的生长速度提高到0.32nm/s,晶化率达58.2%。把这种高速生长的微晶硅材料用作太阳电池的本征吸收层,在没有优化工艺参数和没有采用ZnO增反电极时,电池的转换效率达到4.8%。 【作者单位】： 南开大学光电子所 河北工业大学
【关键词】： 高速生长 微晶硅电池 高压耗尽
【基金】：国家重点基础研究发展计划(973)项目(200028202,200028203) 南开大学博士启动基金(J02033) 国家教育部光电子信息技术科学重点实验室资助的课题(2005-18)
【分类号】：TN304.12;TM914.4
【正文快照】： 1引言二十多年来,非晶硅(a-Si:H)薄膜太阳电池由于成本低,便于大规模生产,得到了迅速发展和广泛的应用[1-2]。但是由于其光学带隙达1.7eV,使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感,限制了非晶硅太阳能电池的转换效率。此外,非晶硅材料本身的S-W效应[3]使得电池性能不稳定

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