用于制备硅LED的太阳能电池技术

【摘要】：集成电路工艺发展使得芯片内部的互连成为芯片延时的主要问题。制备出高光效的硅LED已经成为OEIC发展的瓶颈。硅是间接带隙半导体,而且载流子寿命较长。所以使用硅材料制备发光器件是长久以来特别引人关注而又较难解决的问题。采取降低非辐射复合速率,增加辐射复合的机会可以实现硅LED的发光。介绍了用于制备硅LED的太阳能电池技术原理和主要方法,以及采用这一原理实现PERL硅电池和区熔硅衬底非晶硅电池用于制备LED的技术。 【作者单位】： 天津大学电信工程学院 天津大学电信工程学院 天津大学电信工程学院 天津大学电信工程学院
【关键词】： 光电子集成电路 硅光发射器件 太阳能电池 钝化发射极、背面点扩散 非晶硅
【基金】：国家自然科学基金资助课题(60536030,60676038) 天津市基础研究重点项目(06YFJZJC00200)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 1引言近些年来集成电路工业迅速地发展,芯片中的互连成为限制微电子器件工作速度的主要瓶颈。例如当MOS晶体管栅长小于200 nm时,延时就不再由栅开关时间而是由互连线延时所确定。随着芯片集成度的发展,在单一芯片上的互连长度变得越来越长。如果芯片面积为450 mm2,那么每单位

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