间歇生长模式高甲烷浓度制备纳米金刚石膜

【摘要】：采用直流热阴极PCVD技术,经过生长温度的周期性调整,达到清除多余游离碳和刻蚀非金刚石相的目的,实现了在高甲烷浓度条件下制备纳米金刚石膜。金刚石膜的生长过程分为沉积阶段和刻蚀去除阶段,沉积时间为15min,刻蚀时间为5min,生长周期为20min,总的沉积时间为6h。采用拉曼光谱仪、SEM和XRD分析仪对样品进行了分析,结果显示样品具有纳米金刚石膜的基本特征。研究表明,在高甲烷浓度条件下,直流热阴极PCVD间歇生长模式可有效去除生长腔内的游离碳成分,实现正常放电激励,维持正常生长,制备出纳米金刚石膜。 【作者单位】： 牡丹江师范学院新型炭基功能与超硬材料省重点实验室;
【关键词】： 直流热阴极PCVD 高甲烷浓度 纳米金刚石膜 间歇式
【基金】：黑龙江省教育厅2009科学技术研究面上项目(11541377)
【分类号】：O484.1
【正文快照】： O引言化学气相沉积法生长的金刚石膜通常具有与单晶金刚石几乎相同的性能，它的出现解决了单晶金刚石的大面积和复杂形状的应用问题。但这种金刚石是由微米级(几微米到几十微米)柱状多晶组成的，后续加工难度很大，影响了实用化，而纳米级颗粒组成的金刚石膜除具有普通微米级

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