InGaN太阳能电池材料电学与光学性质的辐射研究

【摘要】：研究表明,In1-xGaxN合金材料的能隙能连续地从0.7 eV改变到3.4 eV,使得该材料有可能成为太阳能全光谱材料系.研究发现这些合金材料的电学特性表现出用高能质子(2 MeV)照射比当前常用的太阳能光伏材料如GaAs和GaInP有更高的电阻,因此,给受到强辐射的太阳能电池提供了巨大的应用潜力.实验观察到这种材料对辐照损伤具有不敏感的特征,该特征可用带边局域的平均振荡结合缺陷能给予解释.该缺陷能用In1-xGaxN合金的Fermi能级的稳态能描述. 【作者单位】： 华南师范大学光电子材料与技术研究所;
【关键词】： 太阳能电池 InGaN 辐照损伤 光致发光 Fermi能级
【基金】：广州市LED工业研究开发基地、香港健隆投资有限公司研发资助项目
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 0引言Ⅲ-Ⅴ半导体合金的高效串联太阳能电池,已应用到空间和地面的多个领域.由电阻造成高能辐照损失对太阳能电池来说是一个基本的特征.目前使用的串联太阳能电池是用两到3节不同半导体材料堆叠而成的【1】.Ga0·51In0·49P/GaAs/Ge3结电池器件可以获得效率超过30%【2】.关于

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