CIGS太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的制备与表征

【摘要】：以硫酸锌、(NH4)2S2O3混合溶液为前驱体溶液,加入少量的柠檬酸钠和丙三醇为络合剂和分散剂,采用化学浴沉积法在玻璃衬底上成功制备了表面均匀的ZnS薄膜。研究了沉积时间和退火时间对ZnS薄膜质量的影响,并运用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见光光度计对薄膜进行分析和表征。结果表明:在沉积时间为90m in,退火温度为200℃时制得的薄膜性能较好,晶体结构为纤锌矿结构。制备的薄膜透过率(λ400nm)约为80%,薄膜的禁带宽度约为3.75eV。通过添加少量的分散剂丙三醇可以改善ZnS薄膜质量。退火温度为300℃,薄膜表面形貌均匀致密。 【作者单位】： 北京科技大学材料学院 北京科技大学材料学院 北京科技大学材料学院 无锡爱芯科微电子有限公司
【关键词】： ZnS薄膜 化学浴沉积法 X射线衍射 紫外-可见光光度计
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 0引言ZnS是具有3.65eV禁带宽度的本征半导体[1]。兼有闪锌矿(面心立方结构即β-ZnS)和纤锌矿(六方结构即α-ZnS)两种结构[2]。在铜铟镓硒(简称CIGS)电池中充当缓冲层,是制作薄膜太阳电池的优良材料。目前在太阳能薄膜电池中广泛应用的缓冲层是硫化镉(CdS)。但是作为过渡层的Cd

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