原子层沉积AlO_x薄膜对单晶硅太阳能电池钝化机制的影响

【摘要】：采用原子层沉积设备在p型单晶制绒硅上制备了不同厚度的AlO_x薄膜。通过研究AlO_x薄膜厚度对样品的反射率、少数载流子寿命以及电容-电压特性的影响,发现沉积32 nm的AlO_x薄膜样品具有最好的钝化效果。另外,通过计算Si/AlO_x界面处的固定电荷密度和缺陷态密度,发现32 nm厚的AlO_x薄膜样品具有最低的缺陷态密度。系统研究了单晶硅材料的表面钝化机制,给出了影响样品载流子寿命的根本来源。 【作者单位】： 大连理工大学物理与光电工程学院;长春理工大学理学院;
【关键词】： 氧化铝 原子层沉积 钝化 准稳态光电导
【基金】：“863”计划项目(2011AA050516) 辽宁省博士启动项目(20141022) 中央高校基本科研业务费项目(DUT14LK34)资助
【分类号】：O484.1;TM914.4
【正文快照】： 1引言单晶硅太阳电池的表面钝化在光伏领域占有越来越重要的地位,良好的表面钝化效果是高效率太阳电池的必备条件。硅太阳电池低器件性能的主要原因是器件表面的强的载流子复合作用[1]。硅太阳电池减小表面复合主要有两个有效途径:一个是通过补偿在单晶硅表面处的硅氧键和硅氢

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